如何访问SRAM以进行可变存储？

嗨迈克
 我有同样的问题，但现在我使用数据闪存保存我的状态，然后进入待机模式。
 我想你应该这样做。
 最好的祝福
 Nazerian Vanima



以下为原文







Hi Mike  
I have the same problem but now i use the data flash for save my states before go to standby mode .
I think u should do this .
Best Regards  
Nazerian Vanima

嗨，
 
 
我也有这个问题，但使用数据闪存对我来说不是一个可接受的解决方案。原因是数据闪存必须每页写入，并且其生命周期为100.000次写入和擦除周期。对于我的应用，闪存将非常快速地损坏（最好的情况是100.000唤醒），具体取决于唤醒周期。
因此，使用SRAM是解决此问题的更好解决方案，但我无法找到有关此问题的任何信息。
 这个问题有解决方案吗？ （任何演示应用程序或应用说明）
 
我期待着解决这个问题的方法。
 
亲切的问候
 
 菲利普



以下为原文







Hi,


I have also this problem, but using the data flash is not an acceptable solution for me. The reason why is that the data flash must be written per page and it has a life cycle of 100.000 write and erase cycles. For my application the flash memory will corrupt very fast (best case 100.000 wake ups) depending on the wake up cycles.
Therefore using SRAM is a better solution for this problem, but I can’t find any information about this.

Is there a solution for this problem out there? (Any demo application or application note)


I’m looking forward to a solution for this problem.


kind regards

Philipp

嗨朋友们
 
 亲爱的Erwan这个问题似乎很重要。
 为什么ST对此问题没有任何回应或发送任何解决此问题的示例。
 最好的祝福
 Nazerian Vanima



以下为原文





Hi Friends

Dear Erwan This problem seems to be important .
why ST have no any response to this issue or send any example for solve this problem.
Best Regards  
Nazerian Vanima

你好菲利普，
 
 
 参考手册中的信息不容易找到。
 根据RM，（D Bolero）
 第一个8K SRAM仍然可以开启。
 您必须注意将数据放在前8K。
 
 ''在此模式下仍然供电的设备的唯一部分是打击垫
 映射在唤醒线和电源域＃0上，其中包含MC_RGM，MC_PCU，
 WKPU ,, RTC_API，SIRC，FIRC以及设备和用户选项位。''
 
 警告，在STANDBY条目之后，调试器由于而失去与目标的连接
 电源门控。
 
 没有关于此的应用说明。
 在我们的应用程序团队中，我们已提交更改请求以创建SRAM示例应用程序。
 
 最好的祝福
 
 二万



以下为原文





Hello Philip,


the information is not easy to find in the Reference Manual.
According to the RM, (D Bolero)
the first 8K SRAM could be still ON.
You have to take care to put your data in the first 8K.

''The only parts of the device that are still powered during this mode are pads
mapped on wakeup lines and power domain #0 which contains the MC_RGM, MC_PCU,
WKPU, , RTC_API, SIRC, FIRC, and device and user option bits.''

Warning , after STANDBY entry, the debugger loses connection to the target due to
power gating.

there is no application note about that.
In our application team, we have submit a change request to create a SRAM Example Application.

     Best regards

                         Erwan

嗨二万
，
感谢您的答复。
我找到了另一个解决这个问题的方法在我看来，参考手册说SRAM连接到电源域＃0并在唤醒后持续存在。 SPC560D有一个16k的RAM，一直打开。我解决这个问题的方法是，我减少了链接器文件中的ram长度，并添加了一个新内存，如“backup ram”和备份ram中的新部分.backup。
它的工作原理是，boot.s文件将SRAM从ram_start初始化为ram_end。使用新的链接器文件更改ram end_address，并且在引导/唤醒期间不会覆盖备份ram部分。
 
你可以参考这个章节，其中包括有关sram的信息吗？
PS：同时我觉得我读过STM的所有应用笔记：D
亲切的问候
菲利普



以下为原文







Hi Erwan
,
Thank you for the reply.

I found another solution for this issue. In my opinion the reference manual says that the SRAM is connected to the power domain #0 and is persistent after wake up. The SPC560D have one 16k ram, which is always on. My solution for this problem was that, I reduced the ram length in the linker file and added a new memory like “backup ram� and a new section .backup in the backup ram.

The reason why it works is, that the boot.s file initialize the SRAM from ram_start to ram_end. With the new linker file the ram end_address is changed and the backup ram section will not be overwritten during boot/wakeup.



Erwan can you please refer to the chapter, which includes the information about the sram?

PS: Meanwhile I feel that I read all application notes from STM :D

kind regards

Philipp

你好Philipp，
 
 对不起，菲利普，待机模式没有很好的记录，也不容易实现。
 
cf章8.4.2：
 
 ''在此模式下仍然供电的设备的唯一部分是打击垫
 映射在唤醒线和电源域＃0上，其中包含MC_RGM，MC_PCU，
 WKPU ,, RTC_API，SIRC，FIRC以及设备和用户选项位。''
 
 
 是的，在减少Ram长度如下...它运作良好。
 （cf application.ld）
 
 
 
 
 
 
 SRAM仍然是ON，我可以在切换STANDBY后恢复上下文==＆gt; DRUN
 （Cf截图/ SPC5Studio测试应用/附件中的原理图）
 
 测试应用程序使用串口：
 1）Cf PNG原理图（2线插头）
 2）
 输入要存储在BACKUP Ram（串口）中的字符串
 3）
 ==＆GT;你进入STANDBY MODE
 核心应该是不活跃的。
 4）
 ..你在DRUN模式下再次切换
 并且您可以恢复存储在BackupRam中的数据。
 
 警告：在STANDBY模式下输入后，您将丢失调试器同步
 
 最好的祝福
 
 二万



以下为原文







Hello Philipp ,

Sorry , Philip, the standby mode is not well documented and not easy to implement.

cf chapter 8.4.2 :

''The only parts of the device that are still powered during this mode are pads
mapped on wakeup lines and power domain #0 which contains the MC_RGM, MC_PCU,
WKPU, , RTC_API, SIRC, FIRC, and device and user option bits.''


Yes , In reducing the Ram length like below ...It is working well.
(cf application.ld)

• MEMORY
  

• {
  

•    
  

• flash     : org = 0x00000000, len = 256k
  

•    
  

• dataflash : org = 0x00800000, len = 64k
  

•    
  

• ram       : org = 0x40000000, len = 10k
  

•    
  

• backupram : org = 0x40002800, len = 2k
  

• }
  

• ENTRY(_reset_address)
  

• /*
  

• 
  

• * Derived constants.
  

• 
  

• */
  

• __flash_size__          = LENGTH(flash);
  

• __flash_start__         = ORIGIN(flash);
  

• __flash_end__           = ORIGIN(flash) + LENGTH(flash);
  

• __ram_size__            = LENGTH(ram);
  

• __ram_start__           = ORIGIN(ram);
  

• __ram_end__             = ORIGIN(ram) + LENGTH(ram);
  

• __backupram_size__      = LENGTH(backupram);
  

• __backupram_start__     = ORIGIN(backupram);
  

• __backupram_end__       = ORIGIN(backupram) + LENGTH(backupram);
  

the SRAM is still ON and i can recover the context after switching STANDBY ==> DRUN
(Cf Screenshot / SPC5Studio test application / Schematics in attachment)

The test application uses the serial port :
1) Cf PNG Schematics (2 wires to plug)
2)
enter your string to be stored in the BACKUP Ram (serial Port)
3)
==> you enter in STANDBY MODE
     The core should be inactive.
4)
..you switch again in DRUN Mode
     and you can recover the data stored in the BackupRam.

WARNING : you are losing the Debugger synchro after entered in STANDBY Mode

              Best Regards

                                                    Erwan