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我们购买了10量的STL160NS3LLH7 MOSFET IC。我们发现MOSFET的源阻抗的漏极是变化的(注意:使用DMM测量阻抗时,MOSFET没有连接到任何外部电路)。对于一些MOSFET来说,对于其他MOSFET来说它大约是1kOhm,它也是2kOhm和3kOhm。我没有获得与所有MOSFET相同的性能。我认为这是因为漏极与源阻抗的这种变化。我从未见过MOSFET的这种特殊行为。这是一个制造问题还是这些MOSFET的行为只是这样?请解释!
以上来自于谷歌翻译 以下为原文 We have purchased 10 qty of STL160NS3LLH7 MOSFET IC. We found that Drain to source impedance of MOSFETs is varying( NOTE : MOSFET were not connected to any external circuitry while measuring impedance using DMM). For some of the MOSFETs it was around 1kOhm for others it was 2kOhm and 3kOhm also. I am not getting same performance with all the MOSFETs. I think that this because of this variation in Drain to source impedance. I have never seen such a peculiar behavior of MOSFETs. Is it a manufacturing problem or these MOSFETs behave like this only? Please explain! |
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