完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦， 立即完善>
3天内不再提示
|
直观的说，你这里VM1就是DS电压，而该尖峰，是线路寄生参数在快速开关边沿产生的振铃，增加栅极驱动电阻，减慢了边沿变化速度，振铃是可以变弱的。你这里只是一个R负载，产生一个需要送到芯片的信号，很简单的办法是在DS增加一个合适的电容，和R2负载产生有效阻尼，当该阻尼合适的时候，速度并不会产生多大影响，同时可以有效阻尼振铃，这时候该振铃就不会出现。而不是通过调整栅极电阻来直接减慢MOS的开关速度。 |
|
|
|
|
|
通过CGD耦合的电荷吧？
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2019-6-6 09:33:52
评论
|
|
|
若只是数位反相器，可用NPN三极管会更好。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2019-6-6 09:35:52
评论
|
|
|
后端接的是FPGA的I/O，我在后端增加个电容仿真一下。
|
|
|
|
|
|
另外有的FPGA的管脚也有clamp二极管进行保护。管脚也会有寄生电容。
|
|
|
|
|
你正在撰写答案
如果你是对答案或其他答案精选点评或询问，请使用“评论”功能。
/6 
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
电子发烧友 （电路图） 湘公网安备 43011202000918 号 电信与信息服务业务经营许可证：合字B2-20210191
工商网监
湘ICP备2023018690号
51992
淘帖
1231
