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换仿真模型
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零件结构有两个电容，输出端并联小小电容可吃掉。或换成NPN好很多，因为Ccb
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这个跟DG端的电容有啥关呢？不是跟DS端的电容才有关吗？
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还真是这样，加大了R7，过冲没了，但是上升沿变大。
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输出端并联小电容，效果好多了，但是带来一些时延。
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这样跟加大R7同属低通作用，主要原因是您的仿真方波信号的上丶下沿为零，应设置为实际的状态。
而且，输出端也要接上负载或其它元件，运放之输入端到VEE脚其內部也有寄生电容，一般2至7pF，很容易可以把此窄突波给吃掉，而仿真模型不一定有列入寄生参数。因此仿真时必須要人为判断，不可依赖仿真的结果。 你的MOS管也可以选择Coss较小的。 |
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mos管前端加个三极管，这样让三极管推动mos管会避免所遇到的问题
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MOSFET开关速度过快，通过增加G级电阻，或者增大GS电容，降低开关速度
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