[电源设计]

用于C2M1000170J SiC MOSFET的辅助电源评估板CRD-060DD17P-2

2019-4-29 09:25:59 3210 电源 MOSFET

1 CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的单端反激式转换器设计演示板。该设计采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面贴装封装，占板面积小，爬电距离宽：漏极和源极之间的距离为7mm。通过采用新的表面贴装封装，设计工程师可以实现经济的散热设计，而无需MOSFET上的散热片。演示板不是专为产品设计的，仅用作评估Cree开关设备性能的工具 1 CRD-060DD17P-2，用于C2M1000170J SiC MOSFET的辅助电源评估板.pdf 880.41 KB , 下载次数: 25
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