基于1200 V C3M SiC MOSFET的60 KW交错式升压转换器演示板

2019-4-29 09:18:26 2899 转换器 MOSFET

1 CRD-60DD12N，60 kW交错式升压转换器演示板基于1200 V，75mΩ（C3M）SiC MOSFET。该演示板由四个15 kW交错升压级组成，每个级使用CGD15SG00D2隔离式栅极驱动板 1 CRD-60DD12N，基于1200 V C3M SiC MOSFET的60 KW交错式升压转换器演示板.pdf 2.12 MB , 下载次数: 22
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