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这两天，我手上拿到了一颗STM32F103VGT6的芯片，芯片的FLASH容量是1M字节。
在做调用STM32 闪存擦除指令时发现一个问题： 擦到0x808 0000时，会自动跳转到0x800 0000地址，觉得很奇怪。 也看了STM32的FLASH闪存编程手册，没有提到1024K大容量的信息，最多是512K的。 验证代码： void EraseFPoApp(void) { u32 u32PageAdd=0; FLASH_Unlock(); u32PageAdd = 0x8064000； FLASH_ErasePage(u32PageAdd); FLASH_Lock(); } 没问题，可以擦除这页的内容。 但是： void EraseFPoApp(void) { u32 u32PageAdd=0; FLASH_Unlock(); u32PageAdd = 0x8080000； FLASH_ErasePage(u32PageAdd); FLASH_Lock(); } 擦除的确是0x800 0000的内容。不知道为什么。 不知道有没有大神遇到过这类情况。还是本身，STM32就有针对VGT6的这个BUG存在。 
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7个回答
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感觉STM32F103VG有这个漏洞
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顶~~台主求助
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楼主，你下载最新的固件库吧。里面描述了大于512K时，如何操作，如下：
STM32F10x_XL devices feature up to 1 Mbyte with dual bank architecture for read-while-write (RWW) capability: - bank1: fixed size of 512 Kbytes (256 pages of 2Kbytes each) - bank2: up to 512 Kbytes (up to 256 pages of 2Kbytes each) |
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对于STM32F1系列的1MB flash芯片，是分两个bank的。每个BANK最大512KB.
你确认下你的代码，估计你给的是BANK2的地址，操作的却是BANK1的 FLASH寄存器，二者是 不一样的。 标准库函数里用到一个宏STM32F10X_XL来区分不同的函数实现。 |
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谢谢楼上两位，一语点破，确实我的固件库太老了
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问题已经解决，如上面两位版主说的，我在官网下载最新的Library就可以了。
但是在调试时发现一个奇怪的问题，每次第一次进入擦除指令时，总是不能准确的擦除第一页，直到第二次进入才能擦除。 比如擦除的 起始页地址是0x8005000,但是8005000这页是不能擦除的，后面的页都可以一次擦除。 虽然可以有其他方法避免，但是觉得不应该出现这种现象。很奇怪，怎么会出现这种情况，引用不带XL的 就没有问题。 验证代码： void ErasePageApp(void) { FLASH_Unlock(); u32PageAddree = 0x8005000+ulPa; FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR); FLASH_ErasePage(u32PageAddree); ulPa +=(u32)(2*1024); FLASH_Lock(); } |
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