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电子发烧友论坛|
我正在尝试使用DSSP3EV芯片的RTSP（运行时自编程）功能。编程时序是我设计的一个关键方面，我已经阅读了专门用于RTSP的芯片手册和手册，不幸的是，关于这个问题，我还没有找到任何说明。有没有人能给我这个信息，我想知道：“擦除一个Flash程序存储器的页面”需要多少个指令周期？“单行编程”需要多少个指令周期？多谢！
以上来自于百度翻译 以下为原文 I'm trying to using the RTSP (run time self programming) feature of the dsPIC33EV chip. The programming timing is a critical aspect of my design, I have read through the chip manual and the manual which is dedicated for RTSP, unfortunately, I haven't found any description with regarding to this. Could any one help to give me this information, I would like to figure out: How many instruction cycle the "Erasing a Page of Flash Program Memory" take? How many instruction cycle the "Single Row Programming" take? Many thanks! 
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3个回答
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CPU在写入过程中出现零点。最小值、最大值和平均时间应在数据表中列出。时间不是随着年龄的增长而变化的。注意一些芯片有多个块。可能在另一个块上运行CPU停机。
以上来自于百度翻译 以下为原文 The cpu stalls during the write so zero. The min, max and average time should be listed in the data sheet near the end. Not the time varies with age an temperature. Note some chips have multiple blocks. It maybe possible to operate on another block with out a CPU stall. |
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数据表的表30至13。698行编程，20.65页擦除。
以上来自于百度翻译 以下为原文 Table 30-13 of the datasheet. 698 us for row programming and 20.65 ms for page erase. |
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嗯，非常感谢你！我想知道为什么我以前错过了那部分。
以上来自于百度翻译 以下为原文 Well, Thank your very much! I wonder why I miss that part previously. |
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