我公司有个产品,用了一颗TPS61070DDCR DCDC boost芯片,现在产品已经在量厂中,但是批量烧机老化模式,一共测试15台机器,发现在运行中,有两台样机的此颗TPS61070DDCR芯片烧坏。烧机老化模式没有什么异常操作,一直没模拟到如何当时烧坏时的条件。
1、我的原理图见附件
2、烧坏的两台的TPS61070DDCR的现象是输出端无输出,前端SW脚对地大概20欧姆左右对地阻抗。
3、我的输入是4.3V,输出是调的5.05V,负载正常工作是此IC的输出端电流25mA,最大时的电流是75mA左右。
4、通过拆下烧坏的两台的IC分析,发现就是IC的1脚对地阻抗很小,其它3,4,5,6脚没有异常
5、通过测试正常工作的板子的此IC的1脚的开关波形,发现此颗DCDC的1脚SW脚在开关关断的时候,都有一个很高的尖峰,VP-P有7.56V了,而规格书上的1脚SW脚MAX值是7V。 想请问一下是否是这个SW的尖峰超过了SW脚的最大电压值,导致损坏的?
6、通过实验,怀疑是1脚接的电感值10uH太大,但我换成2.2uH的电感,这个尖峰依然存在,反正VP-P值还更高。 请问一下,该怎么调整,外围的电感电容值来优化这个SW脚开关关断时的上冲的尖峰?现在产品已经再量产,没有时间换料或者做其它大的变动。
7、最想确认的是,是不是我怀疑的这个1脚SW脚的内部开关的尖峰导致IC损坏的,还是其它什么可能的条件下,导致此IC损坏的? 急求详细的分析解答,产品正在量产上线中
非常感谢
ti的技术工程师帮忙分析一下
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