完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦， 立即完善>
3天内不再提示
|
|
|
相关推荐
1 条评论
14个回答
|
|
|
如果只是防倒灌，单个MOS即可，学名叫防反接
|
|
|
|
|
|
哈哈哈哈，虽然我还没有理解问题，但是你得回答太精辟了
|
|
|
|
|
|
我有个困惑：针对你左边得电路，VCC上电后Q4打开，R1下端到笛，R1上端的电位会是多少？Q1和Q2如何打开的，我有点想不明白
|
|
|
|
|
|
不好意思，我没说错了，防止反向放电！用肖特管的话，低电压场合好像不太适用，所以才想用MOS管。
|
|
|
|
|
|
说得有道理，原理图设计有问题！我得改改~
|
|
|
|
|
|
二极管压降大.用MOS管压降小.
|
|
|
|
|
|
一看就知道你不做实际工程，为什么单个二极管能搞定的事要费这么大力气用其他的玩意整呢？不做工程的人是不会理解的，在有的电路中在输出和负载之间不允许有0.01V以上的电压损失，比如锂离子电池驱动的led上，比如嵌入式开发时烧录器输出上，这些对线路损耗非常敏感，而二极管最小也有0.25V的压降，同时又必须使电流单向导通，这时候就会用复杂的设计来实现这些功能，性能上每提升一点，设计都会复杂指数倍。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
下电过缓了，可能导致反向导通。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2019-8-30 04:49:04
评论
|
|
|
这样设计mos管会有压降，vout只会小于12V,建议参考一下理想二极管模块的设计，之前在网上看到过，几乎零压降
|
|
|
|
|
你正在撰写答案
如果你是对答案或其他答案精选点评或询问，请使用“评论”功能。
252 浏览 0 评论
5V供电情况下JFET前级放大电路怎么实现，JFET能不能先将信号放大到2-3mv,然后在用单运放进行1000倍左右放大？
2020 浏览 0 评论
1209 浏览 0 评论
USB Type-C的双角色端口（DRP）我这样设计可以吗？
752 浏览 0 评论
1911 浏览 0 评论
/9 
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
电子发烧友 （电路图） 湘公网安备 43011202000918 号 电信与信息服务业务经营许可证：合字B2-20210191
工商网监
湘ICP备2023018690号
31261
淘帖
6480
赞
