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其中NAND FALSH, 类型为 AEMIF_CS3 org=0x62000000 len=0x02000000。
向NAND FLASH里面的block 1(block 0保留)的第一页 page 0(2048bytes + 64bytes),写一页的数据(大小2048bytes,sparebytes的64bytes没写)。 然后通过CCS的memory窗口,观看flash里面的值,发现地址0x62000000、0x62020000下面都是0xFF之类的,好像数据并没有写进去,但是再从被写入的block 1 的page 0回读时,却发现能读到刚才写进flash时的值。 我是这样试验的:从ddr2 dram写2048个(一页)的0xA5到flash的block1的page0,通过CCS的memory窗口,没看到0xA5的值,然后从flash回读到dsp内部的 RAM,却发现有0xA5,个数都不少,还是2048bytes。 已知nand flash的型号为MT29F4G16ABADAH4,大小为512MBytes(好像从手册看,CS3只能寻址32M空间),4096blocks,每个block有64页,每页2048bytes + 64 spare bytes,列地址数2,行地址数3。 问题:1、是我没有写入NAND FLASH,还是我观察的memory窗口地址不对? 2、如果是地址不对,那么block1 ,page0的地址是什么,这个该怎么算? |
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