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其中NAND FALSH， 类型为 AEMIF_CS3 org=0x62000000 len=0x02000000。
向NAND FLASH里面的block 1（block 0保留）的第一页 page 0（2048bytes + 64bytes），写一页的数据(大小2048bytes，sparebytes的64bytes没写)。 然后通过CCS的memory窗口，观看flash里面的值，发现地址0x62000000、0x62020000下面都是0xFF之类的，好像数据并没有写进去，但是再从被写入的block 1 的page 0回读时，却发现能读到刚才写进flash时的值。 我是这样试验的：从ddr2 dram写2048个（一页）的0xA5到flash的block1的page0，通过CCS的memory窗口，没看到0xA5的值，然后从flash回读到dsp内部的 RAM，却发现有0xA5，个数都不少，还是2048bytes。 已知nand flash的型号为MT29F4G16ABADAH4，大小为512MBytes（好像从手册看，CS3只能寻址32M空间），4096blocks，每个block有64页，每页2048bytes + 64 spare bytes，列地址数2，行地址数3。 问题：1、是我没有写入NAND FLASH，还是我观察的memory窗口地址不对？ 2、如果是地址不对，那么block1 ，page0的地址是什么，这个该怎么算？ 
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lifei639156 发表于 2019-1-22 19:01 谢谢 |
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只有小组成员才能发言，加入小组>>
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