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` MOS管的快速关断原理 R4是Q1的导通电阻没有Q1就没有安装的必要了,当低电位来时Q1为泻放扩流管。 功率MOS管怎样关断?能否用PWM实现,怎样实现? 功率mosfet的三个端口,G极,D极,S极。G极控制mosfet的开通,关断,给GS极之间加正向电压(高电平)[url=13/],达到导通电压门槛值之后就能导通。同理,[url=15/]给一个低电压(低电平)mosfet就能关断。既然是高低电平当然能用PWM实现,不过在具体应用中,应考虑PWM输出高低电平电压范围,PWM电压的输出驱动能力等。驱动能力太小,即使电压很高,依然无法驱动开通MOS管。这时候需要在PWM电路之后接PWM驱动电路,再来控制功率mosfet。这个PWM应该是具有负脉冲,可以快速关断MOS管。 MOS管的加速关断原理第一还有就是.R4的作用.也搞不懂.没。 看来楼不太清楚三极管的原理了,没有R4怎么满足Q1集电极反偏的要求(不管是PNP还是NPN三极管,其工作时必须满足集电结反偏,发射结正偏).D1前施加一个负脉冲Q1就导通了,[url=31/]就可以把基极的电流抽走,加速MOS管的关断了啊。D1的作用是单向导通[url=32/],不要把基极电流分往脉冲放大电路,让电流去接地。你明白了吗? 它能起到加速MOS管关断的作用,谢谢 驱动电阻主要是让MOS管导通稍微变慢,以免过驱动,这样的好处是解决电磁兼容中的辐射问题,并联一个电阻是加速截止,降低MOS管的关断损耗。 MOS管的快速关断原理 R4是Q1的导通电阻没有Q1就没有安装的必要了,当低电位来时Q1为泻放扩流管简要分析了UC3637双PWM控制器和IR2110的特点,工作原理。由UC3637和IR2110共同构建一种高压大功率小信号放大电路,并通过。 MOS管D1的作用加快矩形波上升沿速度?这里还是不懂.这个。 这个电路是用来提高MOSFET关断速度的,本来用逻辑门直接驱动也很快,但是有可能逻辑门的最大输出电流不够大,因此可以利用那个PMOS快速关断。在功率MOSFET电路中,快速关断在安全性上要比能够快速打开重要。 求问MOS管关断延迟大怎么调? 搞搞前级,搞搞后级。就可以了。。。断掉前级,测试MOS输入电平。是低就上拉,高就下拉。总之跟他对着干。然后把前级加上去。试试看。调栅极的电阻啊或许可以的。 如何加快MOS管关断 可以在栅极加个跟随器来驱动栅极,可以缩短开关时间,在栅极加个电阻或电容到地对场管开关的过程进行放电,以上都是提高开关速度的方法!!电路太小,不完整。 mos管做开关电路,5V接G,S极,则D,S极导通,但是断开5。 要有栅极泄防回路管子才能快速顺利地截止。由于栅极和衬底之间有一层薄薄的二氧化硅绝缘层,所以栅极和衬底之间相当于存在一个电容。当G加上电压后就会给这个电容充电,当G上的电压撤掉后若G悬空电容的电荷是不能马上放掉的,实际上G极的电压仍然存在一段时间,所以不会马上截止。实际使用时当要求管子截止时必须要在GS之间建立泄放回路(比如直接短路或通过电阻放电)才可以。 |
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使用鑫鼎盛的TX4139直流降压芯片时,目的是输入24V,输出11V,为啥实际测量输出电压为20.2V?
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反激电源模块输出电压稳定,但输出电流不稳定,从0跳变到1A,这是怎么回事?
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