浅析MOS管的Cgs充放电过程

2023-2-16 13:44:12 942 MOS管驱动芯片充放电

1 一.基本原理 MOS管本身有Cgs，Cgd，Cds寄生电容，这是由制作工艺决定的。MOS管的开通和关断其实就是对Cgs充放电的过程。开启时通过栅极R1电阻对Cgs充电，充电时间常数=R1*Cgs。所以R1较大的话，时间常数就大了。这样如果开关频率很高的话，在脉宽的时间内管子很可能无法正常导通。一般用方波来驱动MOS管，由于Cgs的电容效应，驱动波形发生畸变，如上图。所以gs波形的上升沿和下降沿会变缓，有时会产生振荡，所以在布板的时候，驱动环路一定要短，驱动芯片周围尽可能敷铜用地包起来，防止产生不必要的干扰。二.参考电路为了快速开通和关断，提供以下两种电路作为参考: 当OUT为高，由于D2反相，只能通过R1向MOS管充电，当OUT为低，gs电容通过R2，D2向驱动放电。 R1，R2的值一般在10R左右，可根据测试的驱动波形适当调整参数。下图原理分析类似三.注意事项 MOS管gs间必须加一个5-10KΩ的放电电阻，这一点非常重要。理由有二: A. 防止在静电作用下，电荷没有释放回路，容易引起静电击穿； B. MOS管在开关状态工作时，就是不断的给Cgs充放电，当断开电源时，Cgs内部可能储存有一部分电荷，但是没有释放回路，MOS管栅极电场仍然存在且能保持很长时间，建立导电沟道的条件没有消失。在下次开机时，在导电沟道的作用下，MOS管立即产生不受控的巨大漏极电流Id，引起MOS管烧坏。原作者：蜗牛硬件笔记本 1
2023-2-16 13:44:12　　评论淘帖0 举报相关推荐 • bms怎么区分充放电mos 3615 • Boost电路的原理及充放电过程 359 • 如何理解电容的充放电过程 154 • 电容-电感的充放电过程 36 • 电磁振荡充放电的原理、过程及影响因素 590 • 电感器的充放电过程 11286 • Boot自举电容的充放电过程及应用 2520 • 浅析MOS管介绍与应用 15 • 示波器如何观察电容充放电慢过程 5064 • 电容充放电过程中电压的变化规律 5388