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如图所示，输入的PWM为4M的频率，占空比为50%的方波信号，输出要求的是120V的正弦波，变压器为PEI32，初级次级匝比为：2:2:8，其他参数如图，但是设计上，输出的波形完全变形，高手指点下是什么原因？ 
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20个回答
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似乎有很强的7次谐波。大概在7次谐波附件有谐振点。
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该怎么解决呢？
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C6和C7之前是没有的，波形也是一样，增加了这两个后，没有明细改善，L1电感加大后，波形会更难看
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加大串联电感量，波形更难看，更加说明了是电容和主变压器电感、分布电容发生了谐振。
大大增加串联电感，使得串联电感这这里基本上不影响谐振参数，然后增加并联电容，估计你这个有不小的升压比吧，升压线圈的分布电容，谐振起来是很厉害的，只有在基频谐振，你才能看见合适的波形。 其实你这里还是很容易计算的，原边电感量是多少，然后算出并联谐振4MHz的电容值，然后根据值对原边的电容进行调整。 需要输出正弦波，是此种类型最好做的了，谐振就可以了，要矩形系数好的方波才难呢。 |
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原边A-B之间为1.9uH, A到C之间也是1.9uH，B到C之间7.5uH(正常吗？这个谐振频率计算是依AB之间电感和C4计算？
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折合IRF540输出电容，和你100p，22并联≈230p。串联后=115p 大概谐振在5.4MHz左右，理论上应该能看到满不错的切顶谐振波形了，可事实上，副边电感和分布参数进行了高次谐振，那么唯一的可能性是原边实际上有很大的高次激励。 看你驱动线路，2个反相器，直接驱动而且运放输出能力只有70mA。才勉强以梯形波形式驱动MOS管而已。 所以，你的双管一部分时间同时导通的跑不了的。而同时导通，会导致原边整个进入低阻抗，这样不说功率损耗很大，关键是共通的时候，原边激励能量被完全短路，而退出瞬间，又会产生速度很快的电流增量，这在每个半周波会发生2次，这就是发生高次震荡的激励源。 正好有2个高速运放，驱动能力勉强可以做4MHz。但是线路不能这样了，必须2个IO独立驱动，带稍大死区。或者直接用专门带死区的单端输入驱动芯片。像EG3011 还有IR系列来驱动。 只有解决了驱动共通问题，你才能看见正常的波形。 |
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感谢你的回复；
1，22p并联了220P看不出什么改善； 2，这个电路驱动1M的频率波形就很好，而且是用高速反相器直接驱动，这个电路我是用高速运放（驱动能力比反相器强些，但是供电只有5V，如果供电超过8V，空载电流非常大（暂时没找原因）。 3，关于死区的问题，和你的想法一致，已经从新做板子用两个独立的IO口驱动, 4，就是没有找到这么高频率合适的驱动芯片，所以采用反相器或者运放直接驱动，你说的EG3011这个芯片驱动这么高的频率可以吗？ |
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供电5V，因为驱动顶部刚刚超过开启阀值，所以，延迟后的驱动波形虽然稍微有所重叠，才不会造成严重的共通，而且由于驱动电压低，斜坡时间也减少，使得共通程度进一步减小。
到8V驱动延时更长，而且超过开启阀值更多，意味着共通更严重，当然空载电流直线上升。 EG3011，死区过大，应该不能驱动4MHz输出的方波。这里只是作为一个例子说明，可以考虑合适的单输入带死区驱动芯片。 最直接的办法还是独立IO，带死区驱动。 其实，完全他励驱动这个频率，现成的芯片不容易找，但是我们可以变化一个思路，你这个线路已经完全具有ZVS推挽的布局了，参考ZVS振荡器，首先把谐振频率调整到稍低于4MHz，然后用互补信号进行栅极开关强迫同步。这样就完全不需要驱动芯片，只需要2个NPN三极管，通过2个IO驱动，然后在同步时间，互补短路对应MOS管栅极，就可以实现单片机精确控制频率。 |
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其实，你用这个一个线路来解决应该更好。
2个IO分别接三极管基极，稍微带点死区，用作强制同步4MHz,以用来精确定频。2个MOS组成ZVS自激线路，调整参数到4MHz。 控制逻辑很简单：synch1和2都低电平的，ZVS自由震荡。synch1、2轮流方波，则被强制同步，synch1、2都高电平，则停止工作。 调试也简单，先不管同步，IO都低电平，然后修改参数到线路能够正常震荡到4MHz附近。然后你就可以精确定频了。 |
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这主意不错，抽时间试试
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这么高的频率，驱动电阻R7、R8是1.5k，这驱动能不变形才怪
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先测测mos栅极驱动信号对不对
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推挽都是30-50K左右的，频率太高，驱动上下沿都很大，死区都没法做，根本不可能成功
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不太清楚 学习一下
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