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为什么PMOS的阈值电压要高于NMOS呢？
下面是我用HSPICE仿真的代码 .opt scale=0.1u * Set lambda mp drainp gatep Vdd Vdd pch l=2 w=20 ad=100 pd=20 as=100 ps=20 mn drainn gaten Gnd Gnd nch l=2 w=8 ad=40 pd=8 as=40 ps=8 仿真结果显示P管的阈值电压要高于N管，请问是为什么？ 
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5个回答
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你可以去看看RAZAVI的模拟CMOS电路的教材，里面有关于阈值电压的推导过程。由于阈值电压与MOS器件的氧化层电容，掺杂率等参数有很大关系，而PMOS与NMOS在这些参数上有些差异，故而导致了他们阈值电压绝对值大小不同的区别。
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看工艺
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阈值电压和以下几个因素有关：栅电极材料类型，栅氧化层厚度，衬底掺杂浓度，栅氧化层层中的电荷密度等相关，一般工艺中N/P MOS的栅氧化层厚度tox都是相同的，栅电极材料类型也相同，栅氧化层层中的电荷密度也相同，但是衬底浓度却不一样，NMOS直接做在Psub外延P-epi上面，而PMOS 做在P-epi的NWELL上面，所以NWELL的杂质浓度比P-epi跟大一些，衬底浓度越大，对应MOS管的阈值电压也越大，所以一般PMOS的阈值电压都要比NMOS要更大一些。
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我理解的是阈值电压与宽长比有关，宽长比越大阈值电压越大，不知道对不对
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