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运放同相输入端为1V，R4电阻电压也跟随为1V，电流恒定在1A输出，那么存在如下疑问：
1.运放为使R4电压均衡在1V那么运放输出端提供的电压是否只达到MOS管导通阈值电压(假设4V)? 2.如果MOS管是长时间工作在阈值电压未完全导通温度很高应该会对MOS管有害吧？ 3.如果以上两点推论是正确的，在参数不变的情况下（Vin=1V、UR4电压也等于1V并保持1A输出）如何使MOS管VGS电压远远超过阈值电压如达到10V，使MOS管完全导通？ 以上请高人详细说明下，此问题困扰多时了，谢谢！ 
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1，场管不同VGS相对不同，VGS是控IDS的，要多少个VGS才能控制IDS＝1A，这个是不稳定的参数所以不用太理会。
2，这要看场管的手册功率，P=IDS*UDS，一般只用到 P*80%，不能用太高，如果场管发热很严重，当然要加散热片。 3，你的思路有点问题，这电路结构，因为运放的负反馈作用，限制了UR4=1，所以VGS＝X ，X在一个不稳定值上微漂的。当场管温度升高时，IDS升高，运放负反作用，会使VGS下降，这时IDS自然会下降，电流小了温度就下降了。这就是负反作用钳制了UR4。你想场管完全导通会使UR4升高的，这就不符合这个电路负反馈结构思路。
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1，场管不同VGS相对不同，VGS是控IDS的，要多少个VGS才能控制IDS＝1A，这个是不稳定的参数所以不用太理会。
2，这要看场管的手册功率，P=IDS*UDS，一般只用到 P*80%，不能用太高，如果场管发热很严重，当然要加散热片。 3，你的思路有点问题，这电路结构，因为运放的负反馈作用，限制了UR4=1，所以VGS＝X ，X在一个不稳定值上微漂的。当场管温度升高时，IDS升高，运放负反作用，会使VGS下降，这时IDS自然会下降，电流小了温度就下降了。这就是负反作用钳制了UR4。你想场管完全导通会使UR4升高的，这就不符合这个电路负反馈结构思路。 |
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“1.运放为使R4电压均衡在1V那么运放输出端提供的电压是否只达到mos管导通阈值电压(假设4V)?”
这是一个电流串联负反馈，也即压控恒流源，运放输出电压可变，电流近似恒定。假设上电瞬间，Q1没导通，则运放工作在开环状态下，VO=(V+ - V-)*Av，V+=1V, V-=0V, 开环增益很大，所以运放饱和，输出电压接近24V（假设轨到轨输出），则此时Q1导通，所以Q1的栅极电压为1V+Vgs； “2.如果MOS管是长时间工作在阈值电压未完全导通温度很高应该会对MOS管有害吧？” 导通或没完全导通，MOS管的压降都是23V，其功耗都是P=23*1=23W，这个功耗对于功率MOS管来说还是不大的。 但是从以上第一点的分析来看，MOS管是一定会导通的。除非VGS大于(VCC-1)V。 "3.如果以上两点推论是正确的，在参数不变的情况下（Vin=1V、UR4电压也等于1V并保持1A输出）如何使MOS管VGS电压远远超过阈值电压如达到10V，使MOS管完全导通？" 参照上面的两点分析。 |
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2020-2-15 17:10:36
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这种恒流源中Q1是工作在线性放大区域，一旦向你说的Q1深度饱和，将失去恒流的作用。
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