[电源设计]

高速直流/直流转换器数兆赫兹GaN功率级参考设计

2018-10-17 15:39:59 1579 GaN 晶体管驱动器

0 描述此参考设计基于 LMG1210 半桥 GaN 驱动器和 GaN 功率的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，实现了一款数兆赫兹功率级设计。凭借高效的开关和灵活的死区时间调节，此参考设计不仅可以显著改善功率密度，同时还能实现良好的效率和较宽的控制带宽。此功率级设计可广泛应用于众多需要快速响应的空间受限型应用，例如 5G 电信电源、服务器和工业电源。主要特色基于 GaN 的紧凑型功率级设计，具有高达 50MHz 的开关频率适用于高侧和低侧的彼此独立的 PWM 输入，或具有可调节死区时间的单一 PWM 输入最小脉冲宽度为 3ns 300V/ns 的高压摆率抗扰性驱动器 UVLO 和过热保护 1 Schematic/Block Diagram.pdf 151.76 KB , 下载次数: 13 物料清单.pdf 104.22 KB , 下载次数: 4 层图（或 PCB 布局）.pdf 716.69 KB , 下载次数: 5 组装图.pdf 136.17 KB , 下载次数: 4 CAD 文件.zip 45 KB , 下载次数: 3 光绘文件.zip 1.17 MB , 下载次数: 2
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