海飞乐技术现货快恢复二极管替换DSEI30-10A规格参数

2018-1-11 16:41:50 1060

0 `海飞乐技术快恢复二极管现货替换DSEI30-10A。快恢复二极管DSEI30-10A技术参数安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247 Vr - 反向电压 : 1000 V If - 正向电流: 30 A 类型: Fast Recovery Rectifiers 配置: Single Vf - 正向电压: 2.4 V 最大浪涌电流: 210 A Ir - 反向电流 : 750 uA 恢复时间: 50 ns 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 150 C 系列: DSEI30-10 封装: Tube 高度: 21.46 mm (Max) 长度: 16.26 mm (Max) 产品: Rectifiers 端接类型: Solder Pin 宽度: 5.3 mm (Max) 商标: IXYS Pd-功率耗散: 138 W 工厂包装数量: 30 单位重量: 6.500 g 快恢复二极管目前在我国正日益受到国家和企业的高度重视，越来越多的企业正在或准备将资金和研究方向投向该项目，相信，不远的将来，我国快恢复二极管，包括IGBT和功率MOSFET等新一代高端电力电子器件的水平及产能必将赶上世界先进水平。快恢复二极管的少子寿命控制技术：快恢复二极管的反向恢复时间与二极管基区内少数载流子寿命成正比，因此，提高快恢复速度的最直接有效的办法就是尽量设法减小基区的少数载流子寿命，减小少子寿命的方法是往基区引入深能级复合中心。引入复合中心的方法很多，金属、杂质、缺陷的引入都会减小少子寿命，如扩金、扩铂、污染、射线辐照、急冷急热等，均可使少子寿命大幅下降。但少子寿命下降的同时，压降增加，漏电流增加。不同的方法引起的压降和漏电流的变化差异很大，不是随便什么杂质或缺陷都可以引入的。其中最经典的方法是扩金、扩铂。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2018-1-11 16:41:50　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 海飞乐技术快恢复二极管现货替换DSEI2x121-02A 986 • 海飞乐技术现货替换DSEI12-12A二极管 695 • 海飞乐技术快恢复二极管现货替换STTH3012 849 • 海飞乐技术快恢复二极管现货替换DSEI2x31-04C 879 • 海飞乐技术快恢复二极管现货替换DSEP30-12A 876 • 海飞乐技术快恢复二极管现货替换DSEC60-12A 982 • 海飞乐技术快恢复二极管现货替换DSEP8-12A 739 • 海飞乐技术快恢复二极管现货替换DSEP60-12A 872 • 海飞乐技术快恢复二极管现货替换FFPF20UA60DN 966 • 海飞乐技术快恢复二极管现货替换STTH8S12 1038