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IGBT绝缘栅双极型功率管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 N通道SOT227封装IGBT 模块VS-GB55NA120UX现货规格参数 配置 单 最大连续集电极电流 84 A 最大集电极-发射极电压 1200 V 最大栅极发射极电压 ±20V 通道类型 N 安装类型 螺丝安装 封装类型 SOT-227 引脚数目 4 开关速度 60kHz 最大功率耗散 431 W 尺寸 38.3 x 25.7 x 12.3mm 高度 12.3mm 长度 38.3mm 最高工作温度 +150℃ 最低工作温度 -40 ℃ 宽度 25℃ 海飞乐技术肖特基模块可完全替换该产品 IGBT模块安装说明 在安装或更换IGBT模块时,应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻,最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇,当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热,而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器,当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。 ` |
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