车载MOS管2SK2313,S1CHF(O现货 TO-3P封装2SK2313

2017-8-11 14:03:44 2259

0 ` 车载MOS管2SK2313,S1CHF(O现货 TO-3P封装2SK2313斩波器，DC-DC转换器和车载电机驱动应用栅极驱动和漏源导通电阻：RDS（ON）= 8mΩ的高正向转移导纳（典型值）：\| YFS \| = 60秒低漏电流（典型值）：IDSS = 100μA（值）（VDS = 60 V）增强模式：Vth的= 0.8?2.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）额定值（Ta = 25°C） TOSHIBA 2SK2313,S1CHF(O参数符号额定值单位漏源电压VDSS 60 V 漏栅极电压（RGS =20kΩ的）VDGR 60 V 栅源电压VGSS±20 VDC（注1）ID 60V 漏极电流脉冲（注1）IDP 240A 功耗（ TC = 25°C）PD 150瓦单脉冲雪崩能量（注2）EAS 1054兆焦耳雪崩电流IAR 60 A 重复雪崩能量（注3）EAR 15兆焦耳沟道温度Tch 150°C保存温度范围TSTG -55?150℃ 东芝2SK2313,S1CHF(O特性符号单位热电阻，渠道区分的Rth（CH-C）0.833°C / W热阻，通道到环境的Rth（CH-A）50°C / W注1：确保通道温度不超过150℃。注2：VDD = 25 V，温度= 25°C（初步），L = 398μH，RG = 25Ω，IAR = 60 A注3：重复：由通道温度的限制脉宽，东芝2SK2313,S1CHF(O是静电敏感器件。请谨慎处理。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2017-8-11 14:03:44　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 2SK1313(L) 2SK1313(S) 2SK1314(L) 2SK1314(S) 数据表 0 • 2SK1313(L) 2SK1313(S) 2SK1314(L) 2SK1314(S) 数据表 0 • 2SK3147(L), 2SK3147(S) 数据表(SiliconNChannel MOS FET/High Speed Power Switching) 0 • 2SK3147(L), 2SK3147(S) 数据表(SiliconNChannel MOS FET/High Speed Power Switching) 0 • TO-3P封装详解 TO-3P封装对比及选型 22699 • 2SK213 2SK2142SK2152SK216数据表 0 • 2SK213 2SK2142SK2152SK216数据表 1 • 2SK1056 2SK1057 2SK1058 数据表 1 • 2SK1056 2SK1057 2SK1058 数据表 5 • 2SK3210(L), 2SK3210(S) 数据表 0