特征工艺尺寸对CMOS SRAM抗单粒子翻转性能的影响

2010-4-22 11:50:00 1684

0 【作者】：张科营;郭红霞;罗尹虹;何宝平;姚志斌;张凤祁;王园明; 【来源】：《原子能科学技术》2010年02期【摘要】：采用TCAD工艺模拟工具按照等比例缩小规则构建了从亚微米到超深亚微米级7种不同特征尺寸的MOS晶体管,计算了由这些晶体管组成的静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转的临界电荷Qcrit、LET阈值(LETth),建立了LETth与临界电荷之间的解析关系,研究了特征工艺尺寸对CMOS SRAM抗单粒子翻转性能的影响及原因。研究表明:随着特征尺寸的减小,SRAM单元单粒子翻转的临界电荷减小,电荷收集效率由于寄生双极晶体管效应而增加,造成LETth随特征尺寸缩小而迅速减小,CMOS SRAM抗单粒子翻转性能迅速降低。【关键词】：特征尺寸;;临界电荷;;LET阈值;;单粒子翻转;;CMOS SRAM 【DOI】：CNKI:SUN:YZJS.0.2010-02-019 【正文快照】：随着半导体工艺向深亚微米、超深亚微米方向迅速发展,集成电路的单粒子翻转效应变得更加严重。静态随机存储器(SRAM)是空间应用中广泛采用的存储器件。SRAM单粒子翻转是主要的空间辐射效应之一[1-2]。临界电荷(Qcrit)、LET阈值(LETth)是表征SRAM抗单粒子翻转能力的重要参数,特游客，如果您要查看本帖隐藏内容请回复 0
2010-4-22 11:50:00　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 用SOI技术提高CMOSSRAM的抗单粒子翻转能力 1883 • 单粒子翻转引起SRAM型FPGA的故障机理阐述 6707 • 理解FPGA中的单粒子翻转 2517 • 航空电子设计之“单粒子翻转”问题 4545 • 论SRAM型FPGA软核Microblaze抗单粒子加固的方法 3670 • 如何对ADC、DAC、PLL进行单粒子翻转容错设计 2123 • 单粒子翻转效应的FPGA模拟技术（下） 1254 • 单粒子翻转效应的FPGA模拟技术（上） 1800 • 有效容忍单粒子多点翻转的加固锁存器 14 • ARINC659总线的单粒子翻转识别 0