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14个回答
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可以,R2电压不太大就行。按原理图,R2=10m欧,10A时候 V=0.1V,对单片机来说,电压太小。
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G极连接单片机IO口只有 低和高两个状态
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单片机高电平Q1导通时,由于源极S串联取样电阻,这样NMOS管漏极D的压降还是比较高。Q1工作在线性放大状态,而不是饱和状态,门极有干扰会被放大。
如取样电阻很小,不是说不可测电流,而是不好。 |
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是的,所以我尽量减小采样电阻阻值,准备用0.01R,电流3A左右,压降增加很小,问题不大
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如果电流有3A,选择 Si2302 非常勉强,市场上只有很少几家型号为 Si2302 的电流可以达到3A以上。建议改用更大电流的MOS管。
而且能满足3A输出的 2302,一般要求此时 Vgs > 4.5V,如果MCU是3.3V电源,有严重的前面提及的非完全导通风险 |
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UC38XX电路当中的电流保护电路就是这个样的
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本帖最后由 jh***p 于 2020-6-16 08:59 编辑
关键要看G极的开关信号电压,如果是直接从MCU来,不经过电压变换,用这样的电流采样很难做好。最好从MCU出来的开关信号变换成高电压(如12V)再控制MOS管。 |
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可以,但在不会影响mos开通状况下,完全能够满足。
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我觉得 可以,关键是要设计好参数。电阻的大小,实际上的电压电流要充分考虑下。
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AD监测经过一级运放放大,然后到单片机AD
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这个机子内存是不是集成到板子上了,哪里可以插个接口访问内存?
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