[问答]

STM32G473 flash擦除时程序卡死的原因？

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 我在进行双bank升级的时候，会先进行FLASH的批量擦除。在连续的升级过程中发现成功几次后出现了执行擦除flash操作时程序卡死的情况，直观上看灯没有闪烁。成功次数不规律，可能更新2次后才卡死一次，也有更新4次、6次卡死的。我尝试在进行擦除之前关中断 __disable_irq();发现测试连续30次升级都没卡死，但没有找到根本原因。注：调用擦除bank的函数执行在CAN接收中断里的一个自定义函数中，有怀疑是进入了一些死循环中。之前怀疑过是上图的while循环，在擦除时有个等待的函数，使用了systick,如果再中断中执行，或者我使用了__disable_irq()会不会导致进不去systick中断，导致死循环超时不可用。但实际测试时好像没有影响 0 本主题由 Harmony技术专家于 2025-6-9 17:16 审核通过
2025-6-9 07:23:27　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × wang21cj 该类别下有 47 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 44 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 42 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 36 个回答。邀请回答 HengDu 该类别下有 31 个回答。邀请回答 hwp0415229 该类别下有 30 个回答。邀请回答可口可甜该类别下有 30 个回答。邀请回答 jiangwenwen 该类别下有 28 个回答。邀请回答 kingnet6688 该类别下有 28 个回答。邀请回答麻酱该类别下有 28 个回答。邀请回答 andyfly7 该类别下有 28 个回答。邀请回答 jghgfdssas 该类别下有 28 个回答。邀请回答 ldliu 该类别下有 27 个回答。邀请回答成长的小师弟该类别下有 27 个回答。邀请回答云汉007 该类别下有 27 个回答。邀请回答颜刚YanG 该类别下有 27 个回答。邀请回答柱子图宁该类别下有 27 个回答。邀请回答 bluepink 该类别下有 27 个回答。邀请回答法规处发该类别下有 27 个回答。邀请回答哼小曲该类别下有 26 个回答。邀请回答举报张龙祥相关推荐 • STM32G473 svd文件缺陷问题求解 581 • 项目从STM32F405RG迁移到STM32G473RE，速度很慢怎么解决？ 543 • STM32G473 FDCAN引出线问题求解 571 • 如何加快STM32G473上电时间？ 229 • EEPROM仿真库是否能正确检测到STM32G473CB dbank功能呢 465 • STM32G473是如何利用DMA接收并发送数据的 805 • stm32芯片的flash无法擦除的原因？怎么解决？ 6226 • STM32的FLASH写入：使用HAL库擦除几个page无法写入并且程序卡死 27696 • STM32G473VET6如何才能和4G模块进行正常通讯？ 512 • stm32f407 FLASH_EraseSector 0-4 sector卡死怎么解决？ 665 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 STM32G473 Flash擦除卡死问题分析与解决方案根据您的描述，在执行双Bank升级时Flash擦除操作卡死，且关闭中断后问题消失，以下是根本原因分析和解决方案：根本原因分析中断抢占导致时序破坏（核心问题） Flash控制器对操作时序有严格要求（约20个特定步骤） CAN中断被更高优先级中断抢占时（如SysTick），会破坏Flash操作的原子时序实验证据：`__disable_irq()`屏蔽中断后问题消失中断中执行阻塞操作在CAN中断中执行耗时的Flash操作（擦除需数ms）违反中断设计原则阻塞期间：中断无法及时响应，可能导致通信错误若SysTick中断被抢占，会破坏基于滴答定时器的延时函数双Bank操作特殊风险当擦除Bank1时若中断触发Bank2操作（或反之），会触发Flash硬件错误锁死 G4系列对多Bank同时操作的保护机制更敏感（见RM0440手册39.3.6节）硬件临界区未完整覆盖擦除操作前应完整保护： `__disable_irq(); HAL_FLASH_Unlock(); // 官方要求此期间不能中断 __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_ALL_ERRORS); // 执行擦除... HAL_FLASH_Lock(); __enable_irq();` 解决方案 1. 重构中断处理（推荐方案） `// CAN中断服务函数 void CAN_RX_Handler(void) { if(need_erase) { erase_request = true; // 置标志位 } HAL_CAN_IRQHandler(&hcan); // 确保处理其他CAN事件 } // 主循环处理 while(1) { if(erase_request) { __disable_irq(); Safe_FlashErase(); // 在RAM执行的擦除函数 __enable_irq(); erase_request = false; } }` 2. RAM函数执行擦除（关键） __attribute__((section(".ramfunc"))) // GNU语法 void Safe_FlashErase(void) { HAL_FLASH_Unlock(); // ST官方推荐等待机制（避免使用SysTick） while(__HAL_FLASH_GET_FLAG(FLASH_FLAG_BSY)); FLASH_EraseInitTypeDef cfg = { .TypeErase = FLASH_TYPEERASE_MASSERASE, .Banks = FLASH_BANK_1 // 按需选择Bank }; uint32_t err; HAL_FLASHEx_Erase(&cfg, &err); // 使用HAL安全函数 __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_ALL_ERRORS); HAL_FLASH_Lock(); } 3. 关键配置检查 `// 启动文件检查：确保堆栈足够（至少1KB） Stack_Size EQU 0x00001000 // 初始化时配置Flash延迟 void SystemInit(void) { FLASH->ACR \|= FLASH_ACR_LATENCY_4WS; // 150MHz需4等待周期 __DSB(); }` 4. 双Bank操作规范 `- 同时操作两个Bank + 遵循顺序： 1. 擦除Bank1时禁止操作Bank2 2. 使用跨Bank写保护：FLASH->PRAR_CUR1寄存器 3. 操作后检查错误标志： if(FLASH->SR & FLASH_SR_OPERR) FLASH->SR = FLASH_SR_OPERR; // 清错误` 验证建议添加错误监控 `// 在擦除后立即检查 uint32_t sr = FLASH->SR; if(sr & FLASH_SR_ERROR_MASK) { FLASH->SR = sr; // 清错误标志 HardFault_Handler(); // 进入异常处理 }` 死循环检测 `// 在等待循环加超时 uint32_t timeout = 1000000; // 根据时钟调整 while(__HAL_FLASH_GET_FLAG(FLASH_FLAG_BSY) && timeout--); if(timeout == 0) Error_Handler();` 使用HAL状态机 `HAL_StatusTypeDef status = HAL_FLASHEx_Erase(&cfg, &err); if(status != HAL_OK) { // 处理错误：通常需复位Flash控制器 __HAL_FLASH_DISABLE(); __HAL_FLASH_ENABLE(); }` 注：ST建议对于连续编程/擦除操作，两次操作间至少插入4ms延迟（见AN5394手册）通过上述重构可从根本上解决时序冲突问题，同时保持系统健壮性。建议优先采用主循环标志位方式处理Flash操作，确保中断快速响应。

2025-6-16 17:47:28 评论举报张鹏