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大家好，我现在遇到FLASH写入的问题，我使用的是HAL库。 1、正常写入，整bank擦除，能够成功写入flash 2、写入后卡死，擦除几个page，无法写入，并且程序卡死 以下为卡死的代码： /* Unlock the Flash to enable the flash control register access *************/ HAL_FLASH_Unlock(); /* Erase the user Flash area (area defined by FLASH_USER_START_ADDR and FLASH_USER_END_ADDR) ***********/ /* Get the 1st page to erase */ FirstPage = GetPage(ADDR_FLASH_PAGE_500); /* Get the number of pages to erase from 1st page */ NbOfPages = GetPage(ADDR_FLASH_PAGE_501) - FirstPage + 1; /* Get the bank */ BankNumber = GetBank(ADDR_FLASH_PAGE_500); /* Fill EraseInit structure*/ EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; EraseInitStruct.Banks = BankNumber; EraseInitStruct.Page = FirstPage; EraseInitStruct.NbPages = NbOfPages; if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK) { printf("Erase errorrn"); } else { // printf("Erase OKrn"); } -------------------------------------------------------------------------------------------------------- 写入 Address = ((uint32_t)ADDR_FLASH_PAGE_500); status = FLASH_If_Write(Address, (uint32_t*) ramsource, 512 / 4); ------------------------------------------------------------------------------------------------------- 摘抄部分写入函数：卡死在这里 uint32_t FLASH_If_Write(uint32_t destination, uint32_t *p_source, uint32_t length) { uint32_t status = FLASHIF_OK; uint32_t bank_to_erase, error = 0; uint32_t i = 0; uint32_t bank_active =0; uint8_t retry=0; FLASH_EraseInitTypeDef pEraseInit; //----------------------------------卡死在这里----------------------这里就卡主了-----------------------程序无法运行下去 if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, destination, *((uint64_t *)(p_source + 2*i))) == HAL_OK) { printf("HAL_FLASH_Program HAL_OK rn"); } -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 请问下大家，为什么整个bank擦除能用，擦除几页就不能用？ 
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1 条评论
12个回答
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楼主，你写flash时，是不是没设临界段啊？这样也会造成卡死。
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还有一个可能就是FLASH擦除期间,必须禁止数据fetch。请楼主自查程序
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如果擦除整个可以写，可以考虑一下写入的地址不再擦除页的范围之内。
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自己看下地址，是不是溢出了
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可以在程序中把flash的Page固定死，一个一个的擦除，每擦除一个修改程序重新擦除，可以定位到擦除哪一个页出问题，然后看看这页是否溢出。
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你好！感谢你的回复，目前没有设置临界段。但是应该不影响，我只写512字节就停止，后面lock之后就是while(1)。应该不会出临界段。 |
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flash擦除的时候没有注意fetch问题，因为测试内容比较单一，只有flash擦除，所以应该不会有fetch打断。 |
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你好，我擦除和写入的都是第500页。可以确定写入的flash已经擦除过了。 |
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你好，我现在测试的地址是第500页，我现在的STM32L476是由512页的。没有溢出 |
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你好！我测试了擦除单页，并写入单页。同样的结果。擦除成功，但是写入时卡死。下面是测试结果： --------------------------------------------------------------- FirstPage = 240 NbOfPages = 1 Erase OK, BankNumber = 1 destination = 0x8078000 source = 0x3020100 FLASH->SR = 0x0 后面本应该反馈flash_program成功或者失败，但是程序卡死，不往下运行了。 |
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首先，写入的地址为什么是页地址？没看到在哪转换为Flash地址啊
Address = ((uint32_t)ADDR_FLASH_PAGE_500); status = FLASH_If_Write(Address, (uint32_t*) ramsource, 512 / 4); 其次，你要写入的是一串数据，但没看到你调用for循环之类的 if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, destination, *((uint64_t *)(p_source + 2*i))) == HAL_OK) { printf("HAL_FLASH_Program HAL_OK rn"); } |
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擦除之前要解锁，写完以后要加锁
// 擦除该页面 HAL_FLASH_Unlock(); // 解锁 /* Fill EraseInit structure*/ EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; EraseInitStruct.PageAddress = page_start_addr; EraseInitStruct.NbPages = 1; PageError = 0; if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError) != HAL_OK) { retvalue = HAL_ERROR; // 页面擦除失败 ，退出 } else { // 页面擦除成功，写入该页面的数据 retvalue = HAL_OK; addrbuf = page_start_addr; for(i=0;i if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, addrbuf, DataBuf) == HAL_OK) { addrbuf += 4; } else { retvalue = HAL_ERROR; i = FLASH_PAGE_SIZE_IN_WORD; } } } HAL_FLASH_Lock(); return retvalue; |
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请问ad9910芯片的ram模式在接收数据时为什么会出现一段方波？
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不懂真得问！FREERTOS在中断里面，可以调用有任务级临界段代码的函数吗？
1763 浏览 1 评论
2000 浏览 1 评论
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