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对于半导体产业而言,逆向工程更一直是IC研发设计的主轴,可以协助IC设计公司在开发新产品所需的成本、工时、人力与技术作全面性的分析,并在电路提取上可针对有专利性的电路,经专利地图数据库分析比较以做好专利回避,藉此了解市场态势并掌握商机。
逆向工程的逆向工程能将整颗IC从封装,制成到线路布局,使用将内部结构,尺寸,材料,制成与步骤一一还原,并能通过电路提取将电路布局还原成电路设计。 芯片反向工程的流程: 1.样品准备 2. 芯片拍照数据 3.样品解剖逐层拍照 Flat Schematic 4.电路提取 Hier. Schematic 5.电路整理 Netlist 6.电路仿真验证 7.版图设计 8.电路后仿真检查,验收 9. 设计服务交付数据类型 那要如何清楚透视微奈米级的线路?可利用大范围扫描拍照拼图达四万倍、局部拍照可达百万倍的扫描电子显微镜(SEM)来进行拍照。 SEM有两个功能,一个是产品有缺陷,用来进行失效分析找Defect,这种案例通常只需要进行「局部拍照」;第二种功能,就是本篇小学堂所讨论用在IC的逆向工程,为了要避免专利纠纷、做好专利回避,此时的拍照,就不能只是局部拍照,必须大范围扫描拍照,透视IC中所有的线路。 宜特最新引进的SEM机台,可搭配拼接图片软件,大范围扫描拍摄IC,显微透视达4万倍的IC线路设计。 完成SEM大范围拍照拼图影像后,客户亦可搭配宜特提供的软件,进行:
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