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管理师苏试宜特（上海）检测技术股份有限公司

上海市浦东新区丨测试测量

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发布了帖子 2018-8-31 14:16

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失效分析：晶圆划片Wafer Dicing

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晶圆划片 (Wafer Dicing ) 将晶圆或组件进行划片或开槽，以利后续制程或功能性测试。提供晶圆划片服务，包括多项目晶圆(Multi Project Wafer, MPW)与不同材质晶圆划片服务。其双轴划片功能可同时兼顾正背面划片质量 ...

来源：芯片测试与失效分析标签：失效分析晶圆切割
发布了帖子 2018-8-31 14:10

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SMT贴片服务

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SMT 测试样品制备 / 量产表面贴装 (SMT)制程是板阶可靠性测试(BLR)的第一关卡，芯片黏着在仿真PCB上的质量好坏，将直接影响到产品寿命判断精准度。质量好坏的关键因素包括，锡膏特性、印刷条件设定 (如脱模间距、脱 ...

来源：供需及二手交易
发布了帖子 2018-8-29 15:35

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芯片封装与芯片打线

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芯片(Die)必须与构装基板完成电路连接才能发挥既有的功能，焊线作业就是将芯片(Die)上的信号以金属线链接到基板。 iST宜特针对客户在芯片打线封装(Bonding, COB, Quick Assembly)相关的实验性工程需求，小至重工、补 ...

来源：芯片测试与失效分析标签：芯片封装芯片打线样品制备
发布了帖子 2018-8-29 15:28

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电路修改

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聚焦式离子束显微镜(Focus Ion Beam，简称FIB)电路修改聚焦式离子束显微镜(Focus Ion Beam，简称FIB)电路修改，原理是利用镓离子撞击样品表面，搭配有机气体进行有效的选择性蚀刻(切断电路)、沉积导体或非导体(新接 ...

来源：芯片测试与失效分析标签：电路
发布了帖子 2018-8-29 15:21

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芯片开盖去除封胶Decap

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芯片开盖去除封胶Decap 芯片失效分析时需分析内部的芯片、打线、组件时，因封装胶体阻挡观察，利用「laser蚀刻」及「湿式蚀刻」两种搭配使用，开盖(Decap)、去胶(去除封胶，Compound Removal)，使封装体内包覆的对象 ...

来源：芯片测试与失效分析标签：芯片
发布了帖子 2018-8-28 16:32

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可靠性验证

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当组件上板后进行一系列的可靠性验证，可靠性验证过程中产品失效时，透过板阶整合失效分析能快速将失效接口找出，宜特协助客户厘清真因后能快速改版重新验证来达到产品通过验证并如期上市。透过板阶整合失效分析来 ...

来源：汽车电子技术论坛标签：失效分析
发布了帖子 2018-8-28 15:53

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电磁干扰(EMI)与电磁耐受(EMS)问题

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电磁干扰(EMI)与电磁耐受(EMS)问题，备受关注。原理随着科技创新需求，无论在消费性电子或汽车电子领域，电子系统功能越做越强大，产品主要组件-IC电路设计就越趋复杂，电磁干扰(EMI)与电磁耐受(EMS)问题，备受关注 ...

来源：电磁兼容(EMC)设计与整改标签： EMI EMS
发布了帖子 2018-8-28 15:39

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失效分析：离子束剖面研磨

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离子束剖面研磨、离子束截面研磨(Cross Section Polisher, 简称CP)，是利用离子束切割方式，去切削出样品的剖面，不同于一般样品剖面研磨，离子束切削的方式可避免因研磨过程所产生的应力影响。宜特任何材料都可以 ...

来源：芯片测试与失效分析标签：失效分析
发布了帖子 2018-8-27 15:09

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失效分析OBIRCH热点测试

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激光束电阻异常侦测激光束电阻异常侦测(Optical Beam Induced Resistance Change，以下简称OBIRCH)，以雷射光在芯片表面(正面或背面) 进行扫描，宜特在芯片功能测试期间，OBIRCH 利用雷射扫瞄芯片内部连接位置，并 ...

来源：芯片测试与失效分析标签：激光束
发布了帖子 2018-8-27 14:47

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车电零部件可靠性验证

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车电零部件可靠性验证(AEC-Q) 车用电子主要依据国际汽车电子协会(Automotive Electronics Council，简称AEC)作为车规验证标准，包括AEC-Q100(集成电路IC)、AEC-Q101(离散组件)、AEC-Q102(离散光电LED)、AEC-Q104(多 ...

来源：检测与认证标签： EMC
发布了帖子 2018-8-27 14:38

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非破坏性分析 3D-X-Ray 检测

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超高分辨率 3D X-Ray 显微镜超高分辨率 3D X-Ray 显微镜 (High Resolution 3D X-Ray Microscope) 是以非破坏性 X 射线透视的技术，再搭配光学物镜提高放大倍率进行实验检测，其实验过程是将待测物体固定后进行360 ...

来源：供需及二手交易
发布了帖子 2018-8-24 09:07

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非破坏性分析：点针与探针量测

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点针与探针信号量测 (Probe / Nano Probe) 透过OM与SEM显微镜下，利用一般点针(Prober)或奈米级探针(Nano Prober)，搭接于芯片内部线路，使其可以外接各类电性量测设备，以输入信号及量测电性曲线。在真空环境下， ...

来源：芯片测试与失效分析标签：探针
发布了帖子 2018-8-24 09:02

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失效分析 I-V 电性量测 (I-V Curve)

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I-V Curve 电特性量测原理是，利用自动曲线追纵仪电特性量测的方式，快速计算阻值，藉此确认各脚位(Pin)关系并实时筛检出异常(Open / Short)，另可产出曲线图文件。提供DC组件及导体组件特性量测、电性失效分析量 ...

来源：芯片测试与失效分析标签：失效分析
发布了帖子 2018-8-24 08:56

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非破坏性分析和SAT检测

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超音波显微镜SAT检测超音波显微镜(SAT)，原理是藉由超音波于不同密度材料之反射速率及能量不同的特性，来进行分析。利用纯水当介质传递超音波信号，当信号遇到不同材料的接口时，会部分反射、部分穿透，机台就会接 ...

来源：芯片测试与失效分析标签：超音波
发布了帖子 2018-8-22 10:34

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IC发生EOS快速找烧毁区进行电路修改的步骤

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IC发生EOS，该如何速找烧毁区，快速进行电路修改？静电无所不在，当组件遇上了超过所能负荷的电压或电流时，组件很容易就烧毁，造成EOS(Electrical Over Stress,过度电性应力）问题。成品厂出货在即，组装厂压着IC ...

来源：芯片测试与失效分析标签： IC设计

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