IGBT的
电路符号至今并未统一,画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号,这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。
同时还要注意IGBT有没有体二极管,图上没有标出并不表示一定没有,除非官方资料有特别说明,否则这个二极管都是存在的。
IGBT内部的体二极管并非寄生的,而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的,又称为FWD(续流二极管)。
判断IGBT内部是否有体二极管也并不困难,可以用万用表
二极管档,测量IGBT的C极和E极,如果IGBT是好的,C
极和E极测得电阻值无穷大,
E极和C极测得0.3v(具体要看手册),则可以初步判断IGBT是好的,C、E两极测得电阻值
都是无穷大,说明IGBT没有体二极管
或者IGBT内部的续流二极管坏掉了
。
IGBT非常适合应用于如交流电机、变频器、开关
电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT的理想等效电路如下图所示,IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合,MOSFET存在高压时导通电阻高的缺点,但IGBT克服了这一缺点,在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。
另外,相似功率容量的IGBT和MOSFET,IGBT的速度可能会慢于MOSFET,因为IGBT存在关断拖尾时间,由于IGBT关断拖尾时间长,死区时间也要加长,从而会影响开关频率。