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MRAM
总览
MR25H256是一个串行MRAM，具有使用串行外围设备接口的芯片选择（CS），串行输入（SI），串行输出（SO）和串行时钟（SCK）的四针接口在逻辑上将存储器阵列组织为32Kx8（ SPI）总线。串行MRAM实现了当今SPI EEPROM和闪存组件通用的命令子集，从而允许MRAM替换同一插槽中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作。与可用的串行存储器替代方案相比，串行MRAM具有卓越的写入速度，无限的耐用性，低待机和运行能力以及更可靠的数据保留。
MR25H256ACDF产品图片
特征
•无写入延迟
•无限的写续航力
•数据保留超过20年
•断电时自动数据保护
•阻止写保护
•快速，简单的SPI接口，时钟速率高达40 MHz
•2.7至3.6伏电源范围
•低电流睡眠模式
•工业和汽车1级和3级温度
•提供8-DFN或8-DFN符合RoHS标准的小标志。
•直接替换串行EEPROM，闪存，FeRAM
•工业级和AEC-Q100 1级和3级选件
•水分敏感性MSL-3
图1 –框图
系统配置
单个或多个设备可以连接到总线，如图2所示。SCK，SO和SI引脚在设备之间通用。每个器件都需要分别驱动CS和HOLD引脚。
图2 –系统配置
图3 –引脚图所有8-DFN封装
产品版本和选件
MR25H256A已批量生产，建议用于所有新设计。
宇芯电子代理商Everspin MRAM型号产品
| 型号 | 容量 | 位宽 | 电压(V) | 温度 | 封装 | MOQ /托盘 | MOQ /卷带 |
| MR25H256CDC | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 |
| MR25H256MDC | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 |
| MR25H256CDF | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
| MR25H256MDF | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
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