芯片测试与失效分析
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失效分析OBIRCH热点测试

激光束电阻异常侦测
激光束电阻异常侦测(Optical Beam Induced Resistance Change,以下简称OBIRCH),以雷射光在芯片表面(正面或背面) 进行扫描,宜特在芯片功能测试期间,OBIRCH 利用雷射扫瞄芯片内部连接位置,并产生温度梯度,藉此产生阻值变化,并经由阻值变化的比对,定位出芯片Hot Spot(亮点、热点)缺陷位置。
OBIRCH常用于芯片内部电阻异常(高阻抗/低阻抗)、及电路漏电路径分析。可快速对电路中缺陷定位,如金属线中的空洞、通孔(via)下的空洞,通孔底部高电阻区等,也能有效的检测短路或漏电。
金属线/Poly/Well短路 ( Metal Short / Metal bridge)。闸极氧化层漏电(Gate Oxide Pin Hole)金属导通孔/接触孔阻值异常任何有材质或厚度不一样的Short / Bridge / Leakage / High Resistance 等的芯片失效情况。

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