怎么提高光耦上升响应的时间？

适当减小r51试试看吧

适当减小R52。见datasheet 中的“SWITCHING TIME vs LOAD RESISTANCE”参数。

要根据手册的参数来选择合适的电阻，两个电阻可能都有问题

手册上说Ic=2mA，而我的好像只有1mA，这有影响吗？

从示波器的图中可以看出，从低电平到高电平延迟，说明光耦是从导通到遮挡的过程产生的，可能你发射光太强，或者遮挡物的原因。。只是个人分析！

根据示波器图形看，从低电平变成高电平延迟，是光耦从导通变为关断的过程延迟，1，发射光强了；2，wc_dts信号有问题。。。个人见解！

胡说了吧！相反的作用！

将 R51 改为 2K；R52 改为 10K 试试看。

要输出有很快的上升沿，得输入信号有良好的上升沿；测一下oWC_DTC信号怎么样？

这个还有什么好建议呀，无非就是换一个光耦元件

还有，就是如果根据整个电路看成一个LRC振荡电路，也可以减小R52来解决

最简单的办法是用个加速电容

加速电容？？放在哪里？怎么解释啊？求教大神、

信号上升慢，实际是光耦的关闭慢了，而关闭慢是因为CTR设置不合理，输入电流的变化是9mA到7.2mA，输出为1mA，CTR连50%都不到。减小R52，可以稍微提高一点响应时间，但也不会理想，意义不大。
你可以增大oW_DTS的输入电平，或减小24VD电压，同时调整R51

或者换个高速光耦

前提还是要把光耦的原理，使用方法规则搞清楚

学习一下，谢谢
学习一下，谢谢学习一下，谢谢
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以您目前的设计
IF=(24V-1.2V)/2.5kohm=9.12mA
IC=(5V-0.3V)/4.7kohm=1mA
电流上不是问题, 最大的问题是RL太大导致toff太慢,
规格书上RL=100ohm时toff大约是5us, 而您使用RL=4.7kohm实测跑到1xxus左右(看图)
所有现在要做两件事情:
1. 降低RL(看您想要将toff缩到多快, 这个规格书应该可以看到)
举例来说, 如果RL放100ohm, toff可缩短到约5us(如果规格书是正确的)
2. 调整IF
当RL=100ohm, IC会上升到(5V-0.3V)/100ohm=47mA
事实上我们不可能想要把电流操到这么高,
我们回来把RL放到1kohm, 此时IC大约是(5V-0.3V)/1kohm=4.7mA
如果您选择的时CTR=200%的产品, 理论上IF只要2.35mA就足够了, 但事实并非如此,
因为光耦商的CTR测试条件为IF=5mA/VCE=5V, 因此使用IF=2.35mA时, VCE至少要达到5V, IC才有可能是4.7mA
(这其中还没有考虑到IF=2mA时CTR大约只有IF=5mA的70%)
目前只能跟您说, 依目前的设计, R51不动, 将R52改成1kohm铁定有改善,
想要再更快可以再降R52, 但降到某个程度就需要把R51也降才行了

首先PS2801不是高速光耦，成本允许的话换高速光耦