` IGBT是集合了MOSFET和GTR的优点，有耐压高、电流大、工作频率高、通态压降低、驱动功率小、无二次击穿、安全工作区宽、热稳定性好等优点。且它的制作技术比较成熟，应用领域非常广泛，所以比较受需要快速低损耗领域的青睐 。
典型应用包括：
升压和降压转换器、正向和双正向转换器、半桥、全桥接（H 桥）和三相桥接。
特点：
直接安装在散热器上
可选择 PT、NPT 和 Trench IGBT 技术
低 VCE（开）IGBT
切换频率从 1 kHz 到 150 kHz
坚固的瞬时性能
高隔离电压高达 3500 V
100 % 不含铅 (Pb) 且符合 RoHS
低热阻
IGBT模块VS-GB90DA120U现货规格参数
最大连续集电极电流 149 A最大集电极-发射极电压 1200 V
最大栅极发射极电压 ±20V
最大功率耗散 862 W
封装类型 SOT-227
安装类型 面板安装
通道类型 N
引脚数目 4
开关速度 60kHz
晶体管配置 单
长度 38.3mm
宽度 25.7mm
高度 12.3mm
尺寸 38.3 x 25.7 x 12.3mm
最低工作温度 -40℃
最高工作温度 +150℃
海飞乐技术肖特基模块可完全替换该产品
性能特点
反向恢复时间（tr）的定义：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t>t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR逐渐增大；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。
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