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新的结构体现了防护ESD危害的基本方法的改变
由于电子装置三个明显的发展趋势,使得ESD 防护情况已有了显著变化,这三个趋势包括: 采用较小制造的几何尺寸,减少在片上防护和不断变化的应用环境。当今,先进的专业集成电路(ASICs)的制造工艺使几何尺寸已经减少到90nm 或更小,因此引发ESD 相关故障的电压或电流值也已减小。简单地说,那些更小装置将受到更小电平电压或电流的损害。特别地,当集成电路制造商转向这些更小几何尺寸时,如USB 2.0,在他们的设备中会不断减小晶体管连接器和硅层的尺寸。当采用较小的硅结构和增加高速数据交换,在确保可靠的ESD 防护条件下,使得保证高信号完整性的复杂度增加了。典型地,这种防护已意味着较高的容量,这迫使设计者在ESD 防护和所期望的信号完整性之间进行平衡。
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