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Sic mesfet工艺技术研究与器件研究

2009-10-6 09:48:48 6295

0 Sic mesfet工艺技术研究与器件研究针对ＳｉＣ衬底缺陷密度相对较高的问题，研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为２?０７ｎｍ的刻蚀表面；牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层，湿氧加干氧的氧化方式生长的ＳｉＯ２钝化膜既有足够的厚度又保证了致密性良好的界面，减小了表面态对栅特性和沟道区的影响，获得了理想因子为１?１７，势垒高度为０?７２ｅＶ的良好的肖特基特性；等平面工艺有效屏蔽了衬底缺陷对电极互连引线的影响，减小了反向截止漏电流，使器件在１ｍＡ下击穿电压达到了６５Ｖ，４０Ｖ下反向漏电流为２０μＡ。为了提高器件成品率，避免或减小衬底缺陷深能级对沟道电流的影响，使用该工艺制备的小栅宽ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ具有１９５ｍＡ／ｍｍ的饱和电流密度，－１５Ｖ的夹断电压。初步测试该器件有一定的微波特性，２ＧＨｚ下测试其最大输出功率为３０ｄＢｍ，增益大于５ｄＢ。关键词：碳化硅；金属?半导体场效应晶体管；牺牲氧化；干法刻蚀；等平面工艺 td7c7qpK.rar (1.17 MB, 下载次数: 30 ) ZcsLx8iZ.rar (1.12 MB, 下载次数: 24 ) 0
2009-10-6 09:48:48　　评论淘帖0 举报相关推荐 • SiC功率器件的封装技术研究 2529 • SMT再流焊工艺技术研究 4759 • 再流焊工艺技术研究(SMT工艺) 30 • 大尺寸AMOLED的关键工艺技术研究 13 • 便捷化三防工艺技术研究 21 • 膜法处理高盐度含油废水新工艺技术研究 2708 • SiC功率器件先进互连工艺研究 535 • RFID测试技术研究 1466 • MIMO技术研究热点 1730 • labview通信技术研究 2756 5 个讨论