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低电压模拟电路设计技巧-使用基底输入式晶体管
前言 近年来,为求使用便利,对于可携式装置的需求逐渐提高。可携式装置重要考虑之一是低功率,此点可利用降低电子产品的操作电压(电源电压)以符合电池操作。降低操作电压应用于数字电路中,可有效地降低功率消耗,但是对于模拟电路而言,直接降低操作电压有可能会导致模拟电路无法正常的工作。要完成低电压模拟电路设计的方法有以下几种: 1) 改为使用较为先进之制程,以降低晶体管组件之临界电压值。 2) 使用升压电路将操作电压提高,或将电路中关键节点的电压提高。 3) 利用电路设计技巧。 使用第一种方法需花费较高的制作成本,对于模拟电路而言未必适合,若使用第二种方法则可能会有可靠度的问题,所以制作低电压模拟电路最好的方法就是在现有的制程技术下使用电路设计技巧来完成之。以下将介绍一种低电压模拟电路设计的技巧-使用基底输入式MOS晶体管(bulk-driven MOSFET)。
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