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拿局部电路问别人为什么，真的很难说。 |
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是不是补偿IC温度变化的，好多个地方都这么接，，，，，应该不是单纯的加快电容的放电吧，如果这样，直接二极管就好了，为什么偏偏用三级管来代替呢 |
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只是典型的缓冲电路吧，防止MCU电平突然变高时的震荡影响后级的数字电路，基极和发射机这样接就是为了三极管处于饱和导通状态
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2016-3-14 15:52:23
评论
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1509571791 发表于 2016-3-14 15:52 主要是这样的代换，想从理论层面上理解一下。实践证明，这样用，其导通电压是0.7伏与0,3伏之间的任何一个值均可。我们知道，一只硅管，当其基极电流大到不能再使集极电流变化时，就认为是饱和状态了，这时，其集电极相对于发射极的电压，就是饱和电压（压降），一般为0.3伏，也就是说，在0.7伏到0.3伏之间，三极管还是正常工作在放大状态的。所以，这样接法的二极管，就有一个好处，即，当加到其两端的电压低于0,7伏时，它仍然能很好的工作。不象直接用E结或C结，当加到其两端的电压低于0.7伏时，它就截止不工作了。这就为矿机的二极管寻找到了更好的代用品，用一只性能很好的锗三机管（饱和压降小很的），将其CB相接，与E一齐，当作一只性能很好的二极管，岂不是能极大的提高矿机的灵敏度？ 一般的锗二极管，正向导通电压为0,2--0.3伏，如用三极管来代，导通电压可低于0.1伏。
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学习了
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学习了 mark一下
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学习了，这个知识点比较难理解，解释的非常好，透彻，支持支持！赞一个，谢谢分享了
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