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`zhenyan@wintech-nano.com 失效分析半导体器件的涉及使用以下工具和技术(不全面,大家一起来完善): * _! M8 |. X: Z' X6 i9 e5[ 1 @! J* X4 G9 K9 l5 g5 s! i9 X* E. w 1.1.1显微镜, ?3 ^4 u7 Z3 @8 q5 x& S* F9 I5S" N · 光学显微镜 · 液晶热点探测(Liquid Crystal) · 扫描声学显微镜(SAM) · 扫描声学断层扫描( SCAT ) · 原子力显微镜( AFM ) · 体视显微镜 (Stereomicroscope) · 微光显微镜(PEM/EMMI) · X光显微镜 · 红外线显微镜( c: r+ p' v1 H5 y# y* p 1.1.2样品制备 · 自动开帽机(Jet Etcher) · 等离子刻蚀(Plasma) · 背面减薄工具 · 机械式背面减薄 · 激光/化学式背面蚀刻5 C9 X2 c2 M t! q8 o: r9 o 1.1.3光谱分析% ?3 C- E% ! f( v · 传输线路脉冲光谱( TLPS) · 俄歇电子能谱(Auger) · 深能级瞬态谱( DLTS) · 傅立叶转换红外线光谱(FtiR) · 激光拉曼光谱(RamanSpectroscopy) · 二次离子质谱仪(SIMS) · X射线荧光光谱仪(XRF) · X-射线光电子能谱(XPS) · X 射线衍射分析仪(XRD) / f& O# [7 @2 P3 ~3 ^ 1.1.4改造设备 · 聚焦离子束蚀刻(FIB) · 时域反射计( TDR ) / x$ R3 {% [7 ^$ q"{. K/ ?* F. m 8 [" t% B( q8 [! U4 r 1.1.5表面分析 · 染料渗透探伤(Dye penetration). Z8 ~. A6 _% J, B% u " z" P& B$l9 Q' @ C " O- {, o, V" @" v 8 {: H. N; w: z+ x8 V' O# C% 8 j 1.1.6扫描电子显微镜及附件 · 扫描电子显微镜( SEM ) · 电子束感生电流( EBIC ) · 电荷感应电压改建(C IVA ) · 电压衬度像(Voltage Contrast) · 电子背散射衍射(EBSD ) · 能量色散X射线能谱( EDS ) · 透射电子显微镜( TEM )& g C' z, I# q % U' ]- y5 [: A& L# i9 a! P 1.1.7激光信号注入显微镜( LSIM) 9 e0 Z8 `/ x: ] · 光激发 · 光学束感生电流( OBIC ) · 光致电压( LIVA) · 热能激发( TLS) · 雷射光束诱发阻抗值变化(OBIRCH ) · 热致电压(TIVA) · 外部感应电压(XIVA ) · 塞贝克效应成像(SEI) · 激光辅助装置(LADA )$ p: X3 c! Y( h k - u- `+ Z; V. { 5 J8 ?9 d" e6 E+ m+ j 1.1.8半导体试探 · 机械探针站 · 电子束探针 · 激光电压探头 · 时间分辨光子发射探测器(TRPE )) H) m" ]6 @) e9 G6 @ % d$ e) w& r- p+ g ' N, r- J- E, w* L" [ 1.1.9基于软件故障定位技术 · 计算机辅助设计导航 (CAD navigation) · 自动测试模式生成( ATPG)+ J* S; P- v5 ~% z* ?" t ` |
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