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`描述 PMP6807 参考设计使用 TPS51216 生成低电压 DRR3 电源。VDDQ 电源为 1.35V 且可达 4A。使用可达 0.5A 的输出/吸入 LDO 生成 VTT 电源 设计还利用高性能紧凑型 MOSFET (CSD17313Q2),大多数负载范围内实现超过 90% 的功效。
Power, Interface and Switch Solutions for Micron Memory.pdf
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PMP6807 BOM.pdf
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PMP6807 Gerber.zip
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PMP6807 PCB.pdf
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PMP6807 Schematic.pdf
(56.41 KB, 下载次数: 0
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PMP6807 Test Results.pdf
(1.99 MB, 下载次数: 0
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