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本帖最后由 junboy8818 于 2014-12-12 08:38 编辑 
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3个回答
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你好，不好意思，这么久才来回答你的问题。是这样的，首先 在低压的MOSFET电路中，即使MOSFET处于不完全导通状态，只要电流不大（一般小于几安培），MOSFET是不会热坏的。其次 一般只有占空比的宽度小于几百纳秒时，MOSFET才会不能完全导通(注意，一般MOSFET的栅极电压介于4.5v到4.6V之间，粗略地说在4,.5V到5V之间，MOSFET才会出现不完全导通状态)，你提到的问题比较担忧的是MOSFET处于开关的零界状态会比较危险，我们在设计高压驱动电路时需要考虑这个问题，而低压小电流电路可以或略。
另外你提到的米纳效应只有在高压电路中才会比较明显，低压电路可以不考虑。所以如果是设计高压驱动电路，解决MOSFET不完全导通问题的办法就是限制最小占空比来保护MOSFET. 以上，谢谢！
最佳答案
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是的，看来你是花心思认真思考了，不错！后面我会逐步分享个人关于马达驱动器方面的一些经验，谢谢！ |
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