放大电路尝试

PN结：一方面阻碍多数载流子的扩散，另一方面加速少数载流子的漂移运动
当扩散和漂移平衡时，流过PN结的电流为零；PN结的厚度一定；接触电位一定
PN结正偏：P电位高于N时，反偏，反之。
齐纳击穿：电场将PN结中的价电子从共价键中激发出来
击穿特点：击穿电压低于4V，击穿电压具有负的温度系数
雪崩击穿：电场使PN结中的少子“碰撞电离”共价键中的价电子。
击穿特点：击穿电压高于6V，正温度系数。
稳压二极管：正常工作必须处于击穿状态，工作于反向状态。
  稳定电压（Uz）=击穿电压，加的电压大于他工作。温度系数：Uz>6V雪崩击穿，<4V齐纳击穿
正激电路:吸收电路电容 大会影响效率

理想交流电 波形正弦波或方波或三角波实际电网存负载平衡、设备开和关瞬间电涌波、电路负载变化时电压变化等诸多因素 导致理想波形产生变形而完美原始波形叠加原始波形上各种被合成无规则电压噪音电压

一般的数字设计的教材中对组合逻辑电路和时序逻辑电路的定义分别为：组合逻辑电路的输出仅与当前的输入有关?，而时序逻辑电路的输出不但与输入有关，还和系统上一个
状态有关

Vds：    DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压
Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻
Id：     最大DS电流.会随温度的升高而降低
Vgs:     最大GS电压.一般为：-20V~+20V
Idm:     最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系
Pd:      最大耗散功率
Tj:      最大工作结温，通常为150度和175度
Tstg:    最大存储温度
Iar:     雪崩电流
Ear:     重复雪崩击穿能量
Eas:     单次脉冲雪崩击穿能量
BVdss：  DS击穿电压
Idss:    饱和DS电流，uA级的电流
Igss:    GS驱动电流，nA级的电流.
gfs:     跨导
Qg:      G总充电电量
Qgs:     GS充电电量
Qgd:     GD充电电量
Td(on):  导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间
Tr:      上升时间，输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间
Td(off): 关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间
Tf:      下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。
Ciss:    输入电容，Ciss=Cgd + Cgs.
Coss:    输出电容，Coss=Cds +Cgd.
Crss:    反向传输电容，Crss=Cgc.
跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。?
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电


容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。?
第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。?上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里，但在12V汽车电子系统里，一般4V导通就够用了。

就是在一定频带内的信号不能通过，而且其他频率的信号可以通过。带阻滤波器。