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MOSFET驱动器在照明、功率转换和其它负载应用的低电压不稳的系统中很常见。广盛电子上架MOSFET驱动器全新产品,能够在工业应用中驱动30A/1200V的MOSFET.在太阳能逆变器、高性能不间断电源(UPS)、DC/DC转换器,以及等离子平板显示器(PDP)等应用中,这些隔离MOSFET驱动器是提高系统效率和可靠性的最佳选择。 栅极驱动器能设计为可提供能高效驱动所需的高峰值电流。许多HVIC(高电压IC)设备用来驱动半桥拓扑应用,因此包括一个低侧栅极驱动器。为大多数应用设计并选择低端栅极驱动器很简单,只需基本了解驱动它们所需的功率MOSFET管的基本特征和驱动所需信号即可。
MOSFET的栅极电荷基本特性 MOSFET的栅极电荷参数反映了正常工作时区域的工作状况。飞兆AN-7502功率MOSFET开关波形深入解释了MOSFET在不同应用中相对应的不同区域。 在区域I中,栅极电压上升至Vth(栅极阈值电压),然后MOSFET开始导通。区域I结束时的栅极电荷为Qg(th)。 在区域II中,栅极电压上升至平台区,漏极电压达到Vdk(漏极膝点电压)标志来到这一区域,同时漏极电流的上升斜率(dI/dt)显著减小。在区域II中,不仅栅极驱动电路驱动栅极,而且源极电感和漏极至栅极的电容提供负反馈影响栅极的驱动。源极电感主要由MOSFET的绑定线(bond wires)和封装引脚构成。实际使用中,此区域可能表现为高速振铃。新的无引线MOSFET封装往往具有更低的寄生电感,因此自电流快速变化带来的影响也更小。区域II结束时的栅极电荷为Qg(th) + Qgs2。 光隔离MOSFET栅极驱动器为一些的功率产品系列提供了关键的‘隔离器件’,将低功耗逻辑产品与高功率分立MOSFET桥接起来。 深圳市广盛电子有限公司 |
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