用CSD17312Q5研究MOSFET估算热插拔的瞬态温升

2013-9-12 15:51:10 2715

0 ` CSD17312Q5 NexFET™功率MOSFET的设计，以尽量减少电源转换应用中的损失和5V栅极驱动应用进行了优化。特性 5V栅极驱动优化超低的Qg和Qgd 低热阻雪崩额定无铅端子电镀符合RoHS 无卤第5毫米×6毫米的塑料包装应用笔记本电脑的负载点在网络负载点同步降压，电信和计算机系统具体datasheet参考www.ameya360.cn/product-CSD17312Q5-Texas%20Instruments-price-stock-datasheet-PDF-260c027a79a342118080957f501efcae.html 下面是用CSD17312Q5估算温升的具体方法我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。一种估算热插拔MOSFET 温升的简单方法进行研究根据系统组件的物理属性，计算得到热阻和热容。本文中，我们把图1 所示模型的瞬态响应与图3 所示公开刊发的安全工作区域（SOA 曲线）部分进行了对比。图1 将散热容加到DC电气模拟电路上根据CSD17312Q5MOSFET、引线框以及贴装MOSFET 的印制电路板（PWB）的物理属性，估算得到图1的各个值。在查看模型时，可以确定几个重要的点。要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID。若先不接VGS（即VGS＝0），在D与S极之间加一正电压VDS，漏极D与衬底之间的PN结处于反向，因此漏源之间不能导电。如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS。此时可以将栅极与衬底看作电容器的两个极板，而氧化物绝缘层作为电容器的介质。当加上VGS时，在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷，而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷。这层感应的负电荷和P型衬底中的多数载流子（空穴）的极性相反，所以称为“反型层”，这反型层有可能将漏与源的两N型区连接起来形成导电沟道。PWB 到环境电阻（105oC/W）为到环境的最低电阻通路，其设定了电路的允许DC 损耗。将温升限制在100oC，可将电路的允许DC 损耗设定为1 瓦。例如，在一次短促的脉冲期间，所有热能对芯片热容充电，同时在更小程度上引线框对热容充电。通过假设所有能量都存储于裸片电容中并求解方程式（dV = I * dt / C）得到I，我们可以估算出芯片电容器可以存储多少能量。结果是，I =dV * C /dt = 100oC * 0.013F/ 1ms =1300 瓦，其与图3 的SOA 曲线图相一致。图2显示了图1的仿真结果以及由此产生的电压响应。其功耗为80 瓦，不同的时间恒量一眼便能看出。绿色曲线为裸片温度，其迅速到达一个PWB 相关恒定电压（蓝色曲线）。最后，您还可以看见PWB 的近似线性充电，因为大多数热能（电流）都流入其散热电容。图2热能流入PWB时明确显示的三个时间恒量我们进行了一系列的仿真，旨在验证模型的准确性。图3 显示了这些仿真的结果。红色标注表示每次仿真的结果。将一个固定电源放入电路中，相应间隔以后对裸片电压进行测量。模型始终匹配SOA 曲线。这样做的重要性是，您可以使用该模型的同时使用不同的散热片和PWB 参数。我们可以增加电路板尺寸来降低其环境热阻，或者增加铜使用量来提供更好的热传播—最终降低温度。增加铜使用量也可以提高散热能力。图3 散热模型与指示点的MOSFET CSD17312 SOA 曲线一致 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2013-9-12 15:51:10　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升——第 1 部分 476 • 如何估算热插拔MOSFET温升？ 6569 • 估算热插拔MOSFET温升的方案 789 • CSD17312Q5,pdf(30V N-Channel N 8 • 用于热插拔的MOSFET怎么选择？ 2184 • 如何选择用于热插拔的MOSFET？ 1695 • 面向热插拔应用的MOSFET 655 • 如何选择MOSFET - 热插拔 7727 • 热插拔是什么？热插拔有哪些特点？ 11273 • CSD17505Q-MOSFET 35 2 个讨论

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2013-9-22 15:55:35 评论举报 1^# 大大苏

0 复制下来！！！！！！！！！我自己好好学习！！！！！！！！！！！！！本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x

2013-10-22 09:09:04 评论举报 2^# 潘铭辉