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首先要为FET考虑的是选择合适的击穿电压,一般为最大输入电压的1.5到2倍。例如,12V系统通常为25V或30V FET,而48V系统通常为100V或在某些情况下达到150V FET。下一个考虑因素应该是MOSFET的安全工作区(SOA),如数据表中的一条曲线。它特别有助于指示MOSFET在短时功率浪涌期间是如何影响热击穿的,这与在热插拔应用中必须吸收的情况并无二致。由于安全操作区域(SOA)是进行适当选择最重要的标准,请参照了解MOSFET数据表-SOA图,该文详细介绍TI如何进行测量,然后生成设备数据表中显示的MOSFET的SOA。
对于设计师而言,关键的问题是FET可能会经受的最大浪涌电流(或预计会限制到输出)是多大,以及这种浪涌会持续多久。了解了这些信息,就可以相对简单地在设备数据表的SOA图上查找相应的电流和电压差。 例如,如果设计输入电压为48V,并且希望在8ms内限制输出电流不超过2A,设计师可以参考CSD19532KTT、CSD19535KTT和CSD19536KTT SOA的10ms曲线(图2),并推断出后两种设备可能行得通,而CSD19532KTT则不行。由于CSD19535KTT已经拥有足够余量,对此种应用来说,更昂贵的CSD19536KTT可能提供过高的性能。 |
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