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NMOS逻辑门电路是全部由N沟道MOSFET构成。由于这种器件具有较小的几何尺寸,适合于制造大规模集成电路。此外,由于NMOS集成电路的结构简单,易于使用CAD技术进行设计。与CMOS电路类似,NMOS电路中不使用难于制造的电阻 。NMOS反相器是整个NMO逻辑门电路的基本构件,它的工作管常用增强型器件,而负载管可以是增强型也可以是耗尽型。现以增强型器件作为负载管的NMOS反相器为例来说明它的工作原理。
或非门的工作管都是并联的,增加管子的个数,输出低电平基本稳定,在整体电路设计中较为方便,因而NMOS门电路是以或非门为基础的。这种门电路不像TTL或CMOS电路作成小规模的单个芯片 ,主要用于大规模集成电路。 以上讨论和分析了各种逻辑门电路的结构、工作原理和性能,为便于比较,现用它们的主要技术参数传输延迟时间Tpd和功耗PD综合描述各种逻辑门电路的性能,如图所示。
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flyfishyu
liangchen198
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MikeChang
方宏飞
lixupeng
torres82
发布
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