关于MOSFET的一些疑惑

2013-3-9 12:58:42 1414

0 大家好，问个在网上经常碰到的问题，但我想再问得深入些。关于MOSFET，就说NMOS管吧，平时说到栅极，大家都习惯性的串接一个栅极电阻大小从10欧--100欧不等。而且有人说为了提高开通速度甚至就不用栅极电阻控制端直接连向栅极。想问下大家。 1.什么时候可以不加栅极电阻，什么时候需要加上栅极电阻。感觉是和GS间结电容有关或和MOSFET的功率大小有关但具体分析不清楚。 2.听说在不加栅极电阻的时候，会损坏MOSFET，引起过冲和震荡。想问下，过冲指什么，是什么情况。震荡又是指什么。怎么会出现这种情况，有无原理解释，还有就是如果损坏MOSFET的话损坏哪里，是不是击穿击穿GS？击穿GD ？击穿 DS？是热击穿？静电击穿？还是？？？这些我都不能确定。特别想知道震荡如何引起的，波形是什么样的。！ 0
2013-3-9 12:58:42　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 一些关于高速设计的文章. 0 • 了解MOSFET的一些原理 2281 • 请教关于mcasp+edma的一些疑惑 1579 • 新手关于树莓派的一些疑惑 5897 • 一些关于vim的一些小知识 650 • 头文件的一些疑惑 1746 • TJA1043一些疑惑 5819 • 影响MOSFET性能的一些因素 5825 • 关于特斯拉的一些研究 1274 • 关于DUV**的一些讨论 3376*