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晶体二极管是一种具有单导游电性的电子元器件(即只允许电流往一个方向流过,就是箭头方向),它相似于我们生活中所用的开关,当它正导游通时,相当于开关处于闭合形态,导通电阻很小;当它反向时,相当于开关处于断开形态,导通电阻极大或无量大。 1、正向特性 当加在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通,处于“截止”形态,当正向电压超越一定数值后,管子才导通,电压再略微增大,电流急剧暗加。不同资料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 2、反向特性 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐步添加时,反向电流根本坚持不变,这时的电流称为反向饱和电流。不同资料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的波动性比硅管差。 3、击穿特性——稳压二极管原理 当反向电压添加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种景象称为反向击穿。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同构造、工艺和资料制成的管子,其反向击穿电压值差别很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏消费类电子。 4、频率特性——变容二极管原理 由于结电容的存在,当频率高到某一水平时,容抗小到使PN结短路。招致二极管得到单导游电性,不能任务,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频状况下任务。 本文是由深圳市硅晶电子科技有限公司整理得来 了解更多博尚电子请点击http://www.技术宅拯救世界-ic.com |
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