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失效分析属于芯片反向工程开发范畴。芯片失效分析主要提供封装去除、层次去除、芯片染色、芯片拍照、大图彩印、电路修改等技术服务项目
失效分析流程： 1、外观检查，识别crack，burnt mark等问题，拍照 2、非破坏性分析 3、进行电测 4、进行破坏性分析 常用分析手段： 1、X-Ray 无损侦测，可用于检测 2、SAT超声波探伤仪/扫描超声波显微镜 3、SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪 可用于材料结构分析/缺陷观察，元素组成常规微区分析，精确测量元器件尺寸 4、三种常用漏电流路径分析手段：EMMI微光显微镜/OBIRCH镭射光束诱发阻抗值变化测试/LC 液晶热点侦测 5、Probe Station 探针台/Probing Test探针测试，可用来直接观测IC内部信号 6、ESD/Latch-up静电放电/闩锁效用测试 7、FIB做电路修改 
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【电路设计】+ 双口RAM芯片测试模块（MSP430F122+MAX491）
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