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TGS2351-SM是Qorvo(原TriQuint)推出的一款采用氮化镓(GaN)技术制造的单刀双掷(SPDT)射频开关芯片,具备高频、高功率处理能力及快速切换特性,广泛应用于雷达、通信系统等射频领域。 核心规格 频率范围:DC – 6 GHz 功率容量:连续波 40 W(47 dBm),控制电压 0 V / –40 V 插入损耗:< 1 dB 隔离度:典型 40 dB 开关速度:tON ≤ 31 ns,tOFF ≤ 18 ns 封装:4 mm × 4 mm、24 引脚空腔型 QFN(可表面贴装) 工艺:0.25 µm GaN-on-SiC,无需外接偏置 技术特性 基于 GaN 技术:采用 0.25 微米氮化镓(GaN)工艺制造,具备高击穿电压、高电子迁移率等特性,显著提升功率处理能力和开关速度。 无铅环保设计:符合 RoHS 标准,满足环保要求。 评估板支持:可提供评估板,便于用户进行性能测试和原型开发。 应用场景 高功率射频开关:适用于需要高功率处理的射频系统,如雷达、电子战设备等。 通信系统:可用于基站、卫星通信等需要高频、高功率开关的场景。 测试仪器:在射频测试仪器中作为关键开关元件,实现信号路由和切换。 选型对比 l TGS2351-SM 与 TGS2353-2-SM: TGS2353-2-SM 同样采用 GaN 技术,但工作频率扩展至 0.5-18 GHz,输入功率降低至 10 W,插入损耗略高(<1.5 dB),隔离度为 30 dB。适用于更高频率但功率要求较低的场景。 l TGS2351-SM 与 TGS2355-SM: TGS2355-SM 支持脉冲功率高达 100 W,隔离度提升至 40 dB,但工作频率范围为 0.5-6 GHz。适用于需要更高脉冲功率的国防和商业平台。 |
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