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AM012535MM-EM-R是AMCOM公司生产的一款 GaAs MMIC 功率放大器,属于 AM012535MM-XX-R 系列,凭借先进的表面贴装(SMT)陶瓷封装工艺,不仅实现了紧凑的体积设计,还确保了出色的电气性能与可靠性,广泛适用于各类高频通信及射频应用场景。 规格参数 • 工艺:0.25 µm GaAs pHEMT,单片微波集成电路(MMIC) • 封装:SMT 陶瓷 4 mm × 4 mm QFN(16-lead,带裸焊盘),卷带包装(-R 后缀) • 频率:0.03 – 2.5 GHz • 小信号增益:20 dB(典型,@ 0.5–1.5 GHz) • 饱和输出功率 Psat:33 dBm(≈ 2 W,@ 6–20 V 漏极偏置) • 功率附加效率 PAE:35 % – 40 %(取决于频率与偏置) • 静态电流 Idq:220 mA(@ Vd = 10 V,Vg = –0.7 V 典型) • 输入/输出阻抗:50 Ω 已内部匹配,片内直流阻断电容 • 绝对最大额定值 – 漏极电压 Vd:20 V – 栅极电压 Vg:–3 V 至 0 V – 沟道温度 Tch:+150 °C – 存储温度:–55 °C ~ +150 °C 技术:采用砷化镓(GaAs)工艺制造,具有体积小、重量轻、可靠性高的优点。 封装类型:表面贴装(SMT),便于自动化组装和生产。 RoHS 兼容:符合环保标准,不含有害物质。 应用领域 • 小型蜂窝/微蜂窝 LTE、WCDMA、CDMA 功放链路末级 • 0.5–2.5 GHz 软件无线电(SDR)功率推动级 • 宽带干扰源、ISM 频段 (433/868/915 MHz) 高功率发射 • 测试仪器(跟踪源、宽带放大器)输出缓冲 型号后缀 封装/等级 关键差异 -EM-R 商用 4×4 QFN 0.03–2.5 GHz,33 dBm,本帖主角 -CM-R 商用 4×4 QFN 0.05–3.0 GHz,31 dBm,增益略低 -FM-R 军用 -55~+125 °C 同 -EM-R 频带,做过温筛 -HM-R 高功率 5 W 版本 4–8 V 工作,Psat 37 dBm,封装 5×5 mm 无 -R 裸片或陶瓷管壳 需金丝键合,实验室微组装用 |
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