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600V、4A/4A 半桥门极驱动SiLM2285,超强抗干扰、高效驱动、高边直驱设计三大核心优势,解决工业开关电源、电机拖动、新能源逆变及储能设备中的驱动难题,实现对高压、高功率MOSFET和IGBT器件的可靠驱动,助力高压功率器件实现可靠且高效的运行。
宽电压耐受,驱动更可靠 1. 600V母线电压支持:适配工业开关电源、电机驱动等高压应用场景,稳定应对高电压波动。 2. 20V VCC宽工作电压范围:兼容多种电源设计,保障MOSFET/IGBT驱动可靠稳定。 3. 10-20V输入引脚宽范围:增强信号兼容性,降低电压波动致驱动失效风险。 高效驱动,降低系统损耗 1. 4A拉/灌电流输出:满足多功率MOSFET并联需求,提升功率密度和驱动能力。 2. 9ns超快上升/下降时间:降低开关损耗,适配高频开关场景。 3. 170ns开通/关断传播延迟:支持高开关频率,提升电源转换效率与动态响应。 精准时序控制,保障系统安全 1. 30ns高低边匹配延时:优化半桥/全桥拓扑驱动时序,避免交叉导通风险。 2. 输入同相位逻辑设计:简化控制逻辑,降低设计复杂度,提升多通道协同效率。 多重保护,设计更灵活 1. 8.9V/8.2V UVLO。 2. SOP8封装。 #SiLM2285 #半桥门极驱动器 #门极驱动器 |
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