请问如何在 IAR Embedded Workbench for ARM 开发环境中启用可配置数据闪存并设置大小？

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在 IAR Embedded Workbench for ARM 中启用可配置数据闪存（如模拟 EEPROM）并设置大小，需通过修改链接器配置文件（.icf） 和 工程配置实现。以下是详细步骤：

步骤 1：修改链接器配置文件 (.icf)

1. 
   

   定位 .icf 文件  

   
   
   
   
   • 在工程目录中找到后缀为 .icf 的文件（如 flash.icf）。
   
   
   • 若不存在，可通过 IAR 菜单创建：右键工程 > Options > Linker > Config > 勾选 Override default 并指定新文件名。
   
   
   
   


2. 
   

   定义数据闪存区域
   
   在 .icf 文件中添加以下代码（以 128KB 主闪存 + 8KB 数据闪存 为例）：

   
   

   // 定义主闪存区域（程序存储）
   
   define symbol __ICFEDIT_region_FLASH_start__ = 0x08000000;
   
   define symbol __ICFEDIT_region_FLASH_end__   = 0x0801FFFF; // 128KB
   
   
   
   // 定义数据闪存区域（模拟EEPROM）
   
   define symbol __ICFEDIT_region_DATA_FLASH_start__ = 0x08020000;
   
   define symbol __ICFEDIT_region_DATA_FLASH_end__   = 0x08021FFF; // 8KB
   
   
   
   // 内存区域声明
   
   define memory mem with size = 4G;
   
   define region FLASH_region    = mem:[from __ICFEDIT_region_FLASH_start__    to __ICFEDIT_region_FLASH_end__];
   
   define region DATA_FLASH_region = mem:[from __ICFEDIT_region_DATA_FLASH_start__ to __ICFEDIT_region_DATA_FLASH_end__];
   
   
   
   // 将 .data_flash 段分配到数据闪存区域
   
   place at start of DATA_FLASH_region { readonly section .data_flash };

   
   
   
   
   • 调整大小：修改 _end__ 地址值（如 0x08021FFF = 8KB）。
   
   
   • 地址对齐：确保区域不重叠且符合芯片手册的扇区划分。
   
   
   
   

步骤 2：在代码中使用数据闪存

声明变量并分配到 .data_flash 段：

#include 



// 分配到自定义的数据闪存段

#pragma location = ".data_flash"

const uint8_t configData[4096] = {0}; // 4KB 配置数据

• 关键点：  
  
  
  
  • 使用 #pragma location 或 __section 指定段名（需与 .icf 中一致）。  
  
  
  • 变量必须声明为 const（闪存只读）。  
  
  

步骤 3：配置工程选项

1. 
   

   检查芯片型号
   
   右键工程 > Options > General Options > Target > 选择正确的 ARM 芯片型号。

   
   


2. 
   

   配置链接器  

   
   
   
   
   • Options > Linker > Config：确保使用自定义的 .icf 文件。  
   
   
   • Options > Linker > Extra Options：添加 --config_def _DATA_FLASH_SIZE=0x2000（定义宏传递大小）。
   
   
   
   


3. 
   

   编程算法调整（可选）
   
   若需烧写数据闪存：  

   
   
   
   
   • Options > Debugger > Download > 勾选 Use flash loader。  
   
   
   • 确保算法支持数据闪存地址（参考芯片手册修改 .board 文件）。
   
   
   
   

步骤 4：验证配置

1. 编译后查看 .map 文件
   
   在输出目录打开 .map 文件，检查变量地址是否在 DATA_FLASH_region 范围内：
   

   .data_flash     0x08020000    0x1000  [configData]



2. 调试器验证
   
   连接开发板，通过 IAR Debugger 查看内存（View > Memory），输入地址 0x08020000 确认数据。

注意事项

• 地址冲突：确保数据闪存区域不占用程序/中断向量表空间。


• 擦写操作：运行时修改数据闪存需调用芯片的 HAL 库函数（如 HAL_FLASH_Program()）。


• 数据持久性：掉电后数据保留，但擦写次数有限（通常 10K 次）。

通过以上步骤，即可在 IAR 中为 ARM 芯片自定义数据闪存区域并存储非易失数据。